型号:

PUMZ1,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-363-6
批次:24+
包装:编带
重量:0.013g
其他:
PUMZ1,115 产品实物图片
PUMZ1,115 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 40V 100mA NPN+PNP SOT-363
库存数量
库存:
3498
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.192
3000+
0.17
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN+PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)40V
功率(Pd)300mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)120@1mA,6V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)200mV@50mA,5mA

PUMZ1,115 产品概述

制造商与品牌
PUMZ1,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能双极晶体管(BJT),该品牌以其高品质和可靠性著称。作为在半导体行业内具有较强影响力的厂家,Nexperia 提供各类电子元器件,广泛应用于消费电子、自动化控制及电力管理等领域。

电子元器件特性
PUMZ1,115 是一款极为有效的 NPN 和 PNP 三极管,具有多种优异性能。这款产品支持的额定电流可达 100mA,集电极-射极最大击穿电压为 40V,适合于多种低功耗应用中。其最大功耗为 300mW,频率上限可达 100MHz,这使得 PUMZ1,115 在开关和信号处理电路中表现卓越。

关键参数

  • 类型: NPN 和 PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 40V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在 5mA 时,最大值为 200mV,50mA 时同样为 200mV,保证在低电平驱动下也能保持良好的导通性能。
  • 集电极-发射极电流截止 (ICBO): 最大 100nA,表明在高阻态下,漏电流极低,从而提高了整体电路的稳定性。
  • DC 电流增益 (hFE): 在 1mA 和 6V 下,最小值为 120,表现出良好的放大能力。

工作条件
PUMZ1,115的工作温度可达 150°C,这一特点使其适用于诸如汽车电子、高温工业控制和其他严苛环境中的应用。同时,该器件采用的 SOT-363 封装为其提供了优良的热管理和电气性能,使得 PUMZ1,115 在相同尺寸的其他晶体管中具有竞争力。

应用场景
PUMZ1,115 可广泛应用于各种电子电路中,例如:

  • 开关电源: 在低功耗和高性能的开关电源中作为开关元件,以提高效率和降低电池消耗。
  • 线性放大器: 在音频和信号调制解调应用中可以作为放大器,提高信号品质。
  • 驱动电路: 用于驱动电机、继电器和其他负载,特别是在需要正负电源的控制电路中。
  • 高频应用: 由于其高达 100MHz 的频率响应,PUMZ1,115 可以有效用于 RF(射频)信号的处理。

封装与安装
该产品采用 6-TSSOP(SOT-363)封装,属于表面贴装型设计,适合于现代小型化电子产品的 PCB(印刷电路板)设计。这一封装不仅具有较小的占板面积,同时也便于高密度布局,适应了当前设计对小型化、轻量化的需求。

总结
PUMZ1,115 是一款性能强大、广泛适应各种工作环境的 NPN + PNP 晶体管,凭借其良好的电气特性、低功耗、高带宽及可靠的工作温度范围,成为电子设计师优选的元器件之一。无论是在新产品开发,还是在现有应用的优化中,PUMZ1,115 都能为设计团队提供强有力的技术支持和保障。