型号:

STP80NF70

品牌:ST(意法半导体)
封装:TO-220-3
批次:20+
包装:编带
重量:2.52g
其他:
STP80NF70 产品实物图片
STP80NF70 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 190W 68V 98A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
4.51
100+
3.6
1000+
3.46
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)68V
连续漏极电流(Id)98A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)8.2mΩ@10V,40A
功率(Pd)190W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)75nC@34V
输入电容(Ciss@Vds)2.55nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)175pF
工作温度-55℃~+175℃

STP80NF70 产品概述

产品简介

STP80NF70 是一款高性能 N 通道 MOSFET,来自意法半导体(STMicroelectronics),设计用于需要高电压和大电流处理的应用。该器件采用 TO-220AB 封装,具有优异的散热特性,适合用于功率驱动、电源管理和电机控制等各种电子应用场景。

主要参数

  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)
  • 漏源电压(Vdss):68V
  • 最大连续漏极电流(Id @ 25°C):98A
  • 导通电阻(Rds On):在 10V 的栅极驱动电压下,40A 时最大导通电阻为 9.8 毫欧
  • 阈值电压(Vgs(th)):最大值为 4V(@ 250µA)
  • 栅极电荷(Qg):在 10V 下最大值为 75nC
  • 栅源电压(Vgs max):±20V
  • 输入电容(Ciss max):2550pF(在 25V 时)
  • 最大功率耗散:190W(@ Tc)
  • 工作温度范围:-55°C 到 175°C
  • 封装类型:TO-220AB

性能特点

STP80NF70 提供了良好的电流处理能力和低导通电阻,适合用于高功率应用。其最大连续漏电流为 98A,漏源电压可达 68V,确保其可以在严苛的工作环境中工作。其最大导通电阻为 9.8 毫欧,这在高电流场合下能够显著降低功耗,提高系统的整体效率。

该器件的高工作温度范围(-55°C 到 175°C)使其特别适合在极端温度条件下运行,例如汽车电子、工业控制和航空航天等领域。由于 MOSFET 的特性,STP80NF70 在切换速度方面表现出色,能够满足快速开关的需求。

应用场景

STP80NF70 的应用范围相当广泛,涵盖了多个领域。在电源管理中,它可以用于DC-DC转换器,帮助实现高效的电能转换。在电机驱动方面,该器件能够高效控制电机的开关,适用于电动汽车和电工工具等应用。此外,它也适合用于照明控制、UPS 系统和其他高电流、高功率的电子设备中。

在设计中,设计师可以利用其良好的功率处理能力和低导通电阻,从而提高整个系统的性能和可靠性。无论是用于简单的开关电路,还是复杂的电源供应解决方案,STP80NF70 都是一个值得考虑的候选元件。

总结

STP80NF70 是一款功能强大、应用广泛的 N 通道 MOSFET,由意法半导体提供。凭借其高电流和电压处理能力、低导通电阻以及宽广的工作温度范围,它成为高效电源管理和电机控制方案中的理想选择。在快速发展的电子市场中,STP80NF70 的性能和可靠性将为设计师和工程师提供他们所需的支持,以实现高效和稳定的电子解决方案。