型号:

DMN3061SWQ-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT323
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DMN3061SWQ-13 产品实物图片
DMN3061SWQ-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1个N沟道 SOT-323
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最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.592
100+
0.409
500+
0.372
2500+
0.344
5000+
0.322
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)59mΩ@10V,2.9A
功率(Pd)770mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)2.9nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)233pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)31pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

DMN3061SWQ-13 产品概述

DMN3061SWQ-13是一款高性能的N沟道MOSFET,封装形式为SOT-323,由知名品牌DIODES(美台)生产。这款MOSFET广泛应用于各种低功耗和高效率的电子电路中,具有优良的开关特性和热性能。在诸多领域,如电源管理、LED驱动、马达控制以及消费电子等,DMN3061SWQ-13凭借其出色的电气特性和可靠性,成为设计师和工程师的优选元件。

关键特性

  1. 高开关速度:DMN3061SWQ-13的高开关速度使其非常适合高频率的开关电源和数字电路应用。其低的门极电荷(Qgs)和快速的转换时间可以有效降低开关损耗,从而提高系统效率。

  2. 低导通电阻(Rds(on)):这款MOSFET在工作时具有极低的导通电阻,减少了电能的损耗,提高了电路的功率效率,有助于设备在高负载条件下运行时减少过热。

  3. 耐高电压能力:DMN3061SWQ-13具有良好的耐高电压特性,能够承受一定的电压冲击,使得其在较高电压应用中的稳定性和可靠性得以提升。

  4. 小型封装:SOT-323封装紧凑,使得该MOSFET非常适合空间受限的应用,如便携式设备和小型电子产品中。小巧的尺寸同时也有利于实现更高的集成度。

  5. 温度范围:该MOSFET能在较宽的温度范围内稳定工作,适合多种环境下的电子应用,增强了其使用的灵活性。

应用场景

  1. 电源管理:DMN3061SWQ-13被广泛用于电源转换器、DC-DC变换器等电源管理系统中,以实现高效能的电能传输和分配。

  2. LED驱动:由于其低导通电阻和高开关速度,DMN3061SWQ-13非常适合LED驱动电路,可以有效提高亮度及调光性能。

  3. 电机控制:这款MOSFET常被应用于电机的驱动和控制电路中,其高效的开关性能能够大幅提升电机驱动系统的效率与稳定性。

  4. 消费电子:在手机、平板电脑、电视等消费电子产品中,DMN3061SWQ-13可用作开关元件,实现电流的精准调控和稳定供电。

  5. 高频通讯设备:其优异的高频性能使之适用于无线通讯、射频放大器等设备,确保信号的快速传输和增强。

结论

DMN3061SWQ-13作为一款优秀的N沟道MOSFET,凭借其高性能特性和广泛的应用场景,已成为电子设计师在开发现代电子设备中的理想选择。随着技术的发展和市场需求的变化,其被应用的范围还在不断扩大,进一步推动了经济与技术的进步。无论是新一代电源管理系统,还是高效的LED驱动和电机控制,DMN3061SWQ-13都能够提供可靠的性能保障,并帮助用户实现设计目标。通过选择DMN3061SWQ-13,工程师们可以在设计中获得更高的效率、更低的功耗以及更好的产品可靠性,从而提升整体产品的竞争优势。