SPP17N80C3XKSA1 产品概述

一、产品简介

SPP17N80C3XKSA1 是英飞凌（Infineon）面向高压开关应用的一款 N 沟道功率 MOSFET，额定漏源电压 Vdss=800V，适用于高压电源、开关电源和功率转换场合。该器件以 TO-220-3 封装提供，兼顾大电流能力与方便散热的特性，单只器件连续漏极电流 Id 为 17A，耗散功率 Pd 标称为 208W（具体热阻与载流能力需参照厂方温升曲线与散热条件）。

二、主要特性

• 漏源电压：800 V（Vdss）
• 连续漏极电流：17 A（Id）
• 导通电阻：RDS(on)=290 mΩ @ Vgs=10 V
• 阈值电压：Vgs(th)=3.9 V @ Id=1 mA（1000 μA）
• 总栅电荷：Qg=177 nC @ Vgs=10 V
• 输出电容（Coss）：1.25 nF
• 输入电容（Ciss）：2.32 nF
• 反向传输电容（Crss/Crss）：60 pF
• 封装：TO-220-3

三、电气性能要点

该器件为 800V 级别高压 MOSFET，RDS(on)=290 mΩ@10V 表明在 10V 驱动下导通电阻较高，适合中等功率、高压应用；Vgs(th)=3.9V 表明不是低压逻辑级器件，通常需 10V 驱动以获得标称 RDS(on)。总栅电荷 Qg=177 nC 较大，意味着在高频开关时栅极驱动能量和驱动电流需求显著，驱动器选择需考虑峰值电流能力与功率损耗。

四、驱动与开关行为

较大的 Qg 和 Ciss 值要求使用强驱动或专用栅极驱动器以实现快速切换，降低动态损耗。但快速切换会带来更高的 dv/dt 和振铃风险，尤其在高压条件下。Crss=60 pF 表示米勒电容在开关瞬间会影响 Vgs，相应应在驱动电路中考虑米勒钳位或缓冲电阻以控制过渡过程中的应力与电磁干扰。

五、热管理与封装

TO-220-3 封装便于加装散热片或与带风扇的系统结合，Pd=208W 为理想散热条件下的最大耗散，实际使用中需根据实际散热方案（铜箔面积、散热片、强制风冷等）和温度导出允许的电流。请参照英飞凌官方数据手册获取 RthJC、RthJA 及温度降额曲线，合理设计散热与封装机械固定。

六、典型应用与设计建议

• 适用于高压开关电源（flyback/forward）、有源 PFC、离线电源开关、工业电源和高压逆变场合。
• 驱动建议：采用能提供大电流短脉冲的栅极驱动器；在驱动端串联合适的阻尼电阻（Rg）以抑制振铃并控制开关过渡。
• 过压与回路保护：在高压系统中加装 RCD/箝位、TVS 和适当的缓冲网络以吸收开关损耗和关断时的能量回路。
• 布局建议：减少漏源和栅极回路的寄生电感，缩短关断回路路径，保证散热面良好接触。

七、封装与选型注意事项

• 器件非逻辑电平，需采用 >=10V 的栅极驱动来达到标称 RDS(on)。
• Qg 和 Coss 在高压高频条件下会显著影响开关损耗与 EMI，选型时需综合考虑开关频率与驱动损耗。
• 参考英飞凌官方数据手册以获取详细绝对最大额定值、温度相关参数与典型特性曲线，确保电路可靠性与长期稳定运行。

总结：SPP17N80C3XKSA1 为一款面向 800V 高压场合的 TO-220 封装 N 沟道 MOSFET，适合中功率高压开关应用。设计时应重点关注栅极驱动能力、开关能量管理与散热方案，以发挥器件最佳性能并保证可靠性。