描述：场效应管(MOSFET) 300mW；1.06W 60V 200mA 1个N沟道 SOT-23
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.7Ω@10V,100mA
功率(Pd)300mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)510pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)20pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)1.1pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
BSS138AKAR 产品概述
一、产品简介
BSS138AKAR 是一款高性能的 N 通道 MOSFET （金属氧化物场效应晶体管），其广泛应用于电源管理、开关电路以及其他低功耗电子器件中。BSS138AKAR 具有较低的导通电阻、出色的开关性能以及良好的热管理能力，适合各种高效能的电子设计需求。
二、技术参数详解
FET 类型：N 通道
- N 通道 FET 的导通特性好于 P 通道 FET，通常提供更低的导通电阻，能在开关状态时提供更高的电流能力，适用于进一步的电源分配。
漏源电压（Vdss）：60V
- 该参数表示在完全导通时漏极到源极之间的最大电压，60V 的额定值使其适合大多数低压应用，减少了电压应力带来的损坏风险。
电流 - 连续漏极 (Id)：200mA (Ta)
- BSS138AKAR 可连续承载高达 200mA 的漏极电流，这使它能够在各种电子应用中稳定工作，例如在驱动小功率负载时。
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
- 在 Vgs 为 10V 时，MOSFET 的 Rds(on) 会达到其最小值，优化了效能和发热量，尤其在开关频率较高时表现出色。
导通电阻（最大值）：4.5 欧姆 @ 100mA，10V
- 这表明在额定的工作条件下，BSS138AKAR 的导通所产生的功耗较低，增加了电路的效率。
栅极阈值电压 (Vgs(th))（最大值）：1.5V @ 250mA
- 该参数确保了 MOSFET 能在较低的栅电压条件下迅速导通，为设计者提供灵活性，尤其在由微控制器和逻辑电路驱动时，有助于降低总体功耗。
输入电容 (Ciss)（最大值）：47pF @ 30V
- 低输入电容可确保快速的开关响应，在高速开关应用中尤为重要，帮助提高了系统的工作频率。
功率耗散（最大值）：300mW（Ta），1.06W（Tc）
- BSS138AKAR 在允许的环境温度下具备较强的功率处理能力，适合进行高效能的热管理设计。
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 广泛的工作温度范围使其适用于各种苛刻环境下的应用，包括汽车电子、航空航天和工业设备。
封装及尺寸：SOT-23-3
- SOT-23 封装在体积小巧的同时，又保持了良好的散热性能，适合空间受限的现代电子设备。
三、应用领域
由于它的各种优良特性，BSS138AKAR 被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源：可用于功率调节和电压转换。
- LED 驱动：高效控制 LED 照明、信号指示灯等。
- 电机驱动：适合用于小功率电机的控制与驱动电路。
- 信号开关：在音频和数字信号处理中，作为开关元件提供信号选择功能。
四、结论
作为 Nexperia（安世）出品的高性能 N 通道 MOSFET，BSS138AKAR 凭借其卓越的参数规格和稳定的性能，成为电源管理及开关应用中可靠的选择。在电路设计中，通过合理利用其特性，不仅可以提高产品的性能，还能有效降低功耗，提升整体系统的可靠性和使用寿命。因此，BSS138AKAR 是很多高效能电子产品设计中的理想选择。