型号:

NX138BKSX

品牌:Nexperia(安世)
封装:6-TSSOP
批次:-
包装:编带
重量:1g
其他:
NX138BKSX 产品实物图片
NX138BKSX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 285mW 60V 210mA 2个N沟道 TSSOP-6-1.3mm
库存数量
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.494
200+
0.319
1500+
0.277
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)210mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.1Ω@10V,200mA
功率(Pd)285mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)500pC@10V
输入电容(Ciss@Vds)20pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)2pF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

NX138BKSX 产品概述

产品简介

NX138BKSX 是由知名半导体制造商 Nexperia(安世)提供的一款高性能双N沟道场效应管(MOSFET)。它采用小型化的6-TSSOP封装,适合表面贴装,广泛应用于电源管理、信号开关及各种电子设备的控制电路中。凭借其优异的电气性能,这款器件能够在极端环境下提供可靠的工作表现,适合于各种工业和消费领域。

关键参数

NX138BKSX 的主要参数包括:

  • 工作温度范围:-55°C 至 150°C,满足高温应用需求。
  • 漏源电压(Vdss):最高可达60V,适合多种直流电压应用。
  • 连续漏极电流(Id):在25°C时能够提供210mA的漏极电流,保证了在负载条件下的可靠性。
  • 最大导通电阻(RDS(on)):在200mA和10V时,最大导通电阻为3.5Ω,确保了低功耗和高效率。
  • 输入电容(Ciss):最大为20pF(@30V),有助于提高开关速度和降低能量损耗。
  • 栅极电荷(Qg):在10V下最大栅极电荷为0.7nC,适合高频开关应用。

封装与安装

NX138BKSX 采用6-TSSOP(SC-88,SOT-363)封装,具有紧凑型设计,适合密集电路板应用。其小尺寸使得设计师能够在空间有限的设备中有效利用电路板面积,同时减少寄生电感和电容,提升开关速度。

应用领域

NX138BKSX 的特性使其适合广泛的应用场景,包括:

  • 电源管理:能够用于开关电源、DC-DC转换器以及电源调节模块中,保证高效率能量传输。
  • 信号开关:可用于各种信号切换和选择应用,确保信号高保真传输。
  • 驱动电路:特别适合用于驱动电机、继电器和灯光控制等设备。
  • 消费电子:广泛应用于智能手机、平板电脑以及消费电子中的电源控制。

性能优势

NX138BKSX 作为一款标准N沟道MOSFET,具备以下优势:

  1. 高效率:低导通电阻和小栅极电荷使其在频繁开关操作时表现出色,显著降低功率损耗。
  2. 可靠性:高温操作范围与耐高电压能力使其在严苛环境下能够长期稳定工作。
  3. 灵活性:适合多种应用需求,具有广泛的适用性和设计灵活性。

综上所述,NX138BKSX 是一款低功耗、高效率、性能稳定的双N沟道场效应管。其在高温和高电压环境中的优异表现,使其成为各种电子和电气应用中的理想选择。无论是在工业控制、消费电子还是电源管理领域,NX138BKSX 都能够满足用户对性能和可靠性的高要求。