描述：场效应管(MOSFET) 350mW；6.25W 20V 1.8A 1个N沟道 SOT-883
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商品单价
梯度内地(含税)
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0.567
100+
0.391
500+
0.356
2500+
0.33
5000+
0.308
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)150mΩ@4.5V,1.8A
功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)950mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.6nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)93pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)16pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
PMZ130UNEYL 产品概述
一、产品介绍
PMZ130UNEYL 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的高性能 N 通道 MOSFET。这款 MOSFET 采用紧凑型的表面贴装 DFN-1006-3 封装设计，适合于多种电子应用，尤其是便携式设备和空间受限的应用场景。其主要特点是低导通电阻、宽工作温度范围以及优异的功率处理能力。
二、基本参数
- 制造商：Nexperia USA Inc.
- 器件类型：N 通道 MOSFET
- 封装类型：DFN-1006-3
- 封装外壳：SC-101，SOT-883
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 连续漏极电流（Id）：1.8A（Ta = 25°C）
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 导通电阻（Rds(on)）：最大 150 毫欧 @ 1.8A，4.5V
- 最大功率耗散：350mW（Ta），6.25W（Tc）
- 最大栅源电压（Vgs）：±8V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大 950mV @ 250µA
- 输入电容（Ciss）：最大 93pF @ 10V
- 栅极电荷（Qg）：最大 1.6nC @ 4.5V
三、关键性能
低导通电阻：PMZ130UNEYL 在 1.8A 和 4.5V 驱动电压下最大导通电阻为 150 毫欧，这使得 MOSFET 在开关过程中产生的功耗较低，适用于高效率电源管理应用。
宽工作温度范围：该器件具备 -55°C 至 150°C 的工作温度范围，这使得它在严苛环境条件下能够稳定工作，适合工业设备、汽车电子和航空航天等高要求应用。
高功率处理能力：PMZ130UNEYL 具有 350mW（Ta）和 6.25W（Tc）的功率耗散能力，能够在较高功率下安全运行，满足各种应用的需求。
小型化设计：DFN-1006-3 封装具有紧凑的体积和高集成度，使得 PMZ130UNEYL 在电路设计中能够节省空间，适合需要小型化的工业和消费电子产品。
四、应用领域
PMZ130UNEYL 的特性使其适用于多个领域，包括但不限于：
- DC-DC 转换器：在电源转换过程中作为开关器件，提供高效的电流传输。
- 电源管理：在电池供电的设备中，优化功率使用，提高功率效率。
- 负载开关：作为负载控制器，能够快速切换电路状态，控制设备开关。
- 汽车电子：在汽车系统中，提供负载驱动和电源管理功能。
- 工业控制：应用于各种自动化设备中，管理马达、传感器等的电源。
五、总结
总的来说，PMZ130UNEYL 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET，无论是在导通电阻、功率处理能力，还是工作温度范围上，都展现出卓越的性能表现。这些特性使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件，广泛应用于电源管理、工业控制及消费电子产品中。由于其紧凑的封装及高效的工作能力，PMZ130UNEYL 预计将成为市场上备受青睐的解决方案，满足各类电子产品的需求。