型号:

NX7002BKMYL

品牌:Nexperia(安世)
封装:DFN-1006-3
批次:22+
包装:编带
重量:1g
其他:
NX7002BKMYL 产品实物图片
NX7002BKMYL 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 350mW;3.1W 60V 350mA 1个N沟道 SOT-883
库存数量
库存:
249
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.215
500+
0.144
5000+
0.124
10000+
0.113
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)350mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.2Ω@10V,200mA
功率(Pd)350mW;3.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)23.6pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)3pF@30V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

NX7002BKMYL 产品概述

1. 产品简介

NX7002BKMYL 是 Nexperia USA Inc. 出品的 N 通道 MOSFET(场效应管),属于 TrenchMOS™ 系列。这款高性能器件专为需要高效率和可靠性的应用而设计,特别适合用于低功耗电路和高频开关应用。它的工作电压可达 60V,连续漏极电流可达到 350mA,使其在众多电子应用中表现出色。

2. 关键技术参数

  • 电流能力:电流可在 25°C 环境温度下连续承载 350mA,适应多种电气环境。
  • 导通电阻:在 10V 的驱动电压下,导通电阻最大值为 2.8 欧姆(在 200mA 耗电流时),有效地降低了功耗,并提升了电路的整体效率。
  • 阈值电压:Vgs(th) 最大值为 2.1V(在 250µA 时),使得其在低电压驱动情况下也能迅速开通。
  • 电压范围:漏源电压 Vds 可达 60V,适应广泛的使用条件,能够驱动多种类型的负载。

3. 热性能与功率处理

NX7002BKMYL 在功率耗散方面表现优异,最大功率为 350mW(在大气环境下)和 3.1W(在结温条件下),这使得其即使在高功耗的操作环境中,也能保持良好的工作状态。此外,它的工作温度范围为 -55°C 至 150°C(结温),适合在极端环境下使用。

4. 封装与安装

此器件采用 DFN1006-3 封装,符合表面贴装型(SMD)标准,体积小巧,适合空间有限的电路板设计。SOT-883 封装确保在自动化生产线上的高性能应用,同时简化了组装过程。

5. 驱动电压与栅极电荷

NX7002BKMYL 的驱动电压在 5V 至 10V 的范围内表现良好,且不同于 Id 的驱动电压,栅极电荷(Qg)最大值为 1nC(在 10V 时),较低的栅极电荷有助于简化驱动电路设计,减少开关损失,提升整体电路性能。

6. 应用领域

由于其理想的电流和电压特性,NX7002BKMYL 在多个领域都有广泛应用,主要涵盖:

  • 电源管理:可用于 DC-DC 转换器、负载开关和开关电源,优化电源效率。
  • 信号开关:适合用于高频开关应用,尤其在便携式设备和消费电子产品中表现突出。
  • 汽车电子:其宽工作温度范围使其非常适合汽车应用中的控制和保护电路。
  • 工业自动化:在自动化控制系统中,此器件可帮助提高系统的响应速度和能效。

7. 总结

NX7002BKMYL 是一款高性能、可靠的 N 通道 MOSFET,其出众的电气特性及优良的热性能,使其在众多电子应用中成为理想选择。无论是在便携式设备、汽车电子还是工业自动化领域,NX7002BKMYL 都能提供高效的解决方案,满足现代电子产品设计对性能的严格要求。对于工程师和设计师来说,这款 MOSFET 的多功能性和可靠性将极大地提升他们设计的灵活性与效率。