型号:

PMZ950UPEYL

品牌:Nexperia(安世)
封装:DFN-1006-3
批次:21+
包装:编带
重量:1g
其他:
PMZ950UPEYL 产品实物图片
PMZ950UPEYL 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 360mW;2.7W 20V 500mA 1个P沟道 SOT-883
库存数量
库存:
4461
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.322
500+
0.215
5000+
0.186
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)500mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.02Ω@4.5V,500mA
功率(Pd)360mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)950mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)2.1nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)43pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)8pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

PMZ950UPEYL 产品概述

一、基本信息

PMZ950UPEYL 是一款由 Nexperia USA Inc. 生产的 P 通道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计用于高效能的电源管理和开关应用。该器件采用表面贴装型(SMD)封装,具有出色的电流承载能力和低导通电阻,非常适合需要节省空间和提升效率的小型电子设备。

二、产品特性

1. 电气参数

  • 漏极电流 (Id): PMZ950UPEYL 在 25°C 的工作环境中,能够连续承受的漏极电流达到 500mA,非常适合功耗相对较低的应用场合。
  • 漏源电压 (Vdss): 该器件的漏源电压最高可达到 20V,使其适合于多种中低压电路设计。
  • 导通电阻 (Rds On): 在输入电压为 4.5V 和 500mA 电流条件下,其最大导通电阻为 1.4Ω,展现出较低的功耗和更高的效率。
  • 栅极-源极阈值电压 (Vgs(th)): Vgs(th) 最大为 950mV @ 250µA,保障器件在较低的栅电压下能够有效导通。

2. 功耗与散热

  • 功率耗散: 该 MOSFET 在常温下的最大功耗为 360mW,而在结温下 (Tc) 可达 2.7W。这使得 PMZ950UPEYL 能够在负载变化和温度波动的条件下稳定工作而不会过热,适合在长时间运行的应用场景中使用。

3. 封装与尺寸

PMZ950UPEYL 采用 DFN1006-3 封装,尺寸小巧,适合于空间有限的设备中使用。该封装设计不仅提高了元件的热管理能力,也便于自动化贴装工艺,提高生产效率。

三、应用场景

PMZ950UPEYL MOSFET 的广泛应用场景包括但不限于:

  • 电源管理: 作为开关元件用于电源转换器,能够提升功率转换效率并减少能量损耗。
  • 负载开关: 在低压和中压负载开关中,控制电源的开关状态,实现更智能的电源管理。
  • 电池供电设备: 在各种便携式电子设备中,例如蓝牙音箱、数码相机等,使用该器件可提高电池的使用效率。
  • 工业控制设备: 适用于各种工业自动化系统中,以控制电机或其他负载的开启和关闭。

四、工作温度与稳定性

PMZ950UPEYL 的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,适合在极端环境下运行。这种稳定性和耐温特性使得它可以胜任严酷的工业应用条件,从而扩展了其应用场景。

五、总结

综上所述,PMZ950UPEYL P 通道 MOSFET 以其优异的电气性能和可靠性,不仅可以满足当前各种应用的需求,还能适应未来的电力管理技术的发展趋势。其低导通电阻、小型封装和宽广的工作温度范围,使其在不断发展的电子市场中保持了极高的竞争力。作为电源控制和开关应用的理想选择,PMZ950UPEYL 必将成为设计工程师的优选器件。