描述：MOSFET-阵列-N-和-P-沟道-20V-4A（Ta）-3.4A（Ta）-490mW-表面贴装型-6-HUSON-EP（2x2）
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
功率(Pd)490mW
工作温度-55℃~+150℃
PMCPB5530X,115 产品概述
一、产品简介
PMCPB5530X,115 是由安世半导体（Nexperia）推出的一款高性能MOSFET阵列，包括N沟道和P沟道的配置，专为低电压应用设计。其最大漏源电压（Vdss）为20V，能承受4A的连续漏极电流（Id），提供高达490mW的功率输出。这款封装为表面贴装型，采用6-HUSON-EP（2x2）封装，适用于空间受限的电子设备。
二、主要特点
高电流承载能力： PMCPB5530X,115 具有 4A 的最大连续漏电流 (Id)，使其能够在多种高负载条件下稳定运行，满足严格的应用需求。
低导通电阻： 该MOSFET在3A与4.5V下导通电阻最大值为34毫欧，保证了低功耗和高效率，降低了热损耗，提升了整体电路的可靠性。
宽工作温度范围： 此元器件的工作温度范围从-55°C到150°C，适应性强，能在极端环境条件下稳定运行，非常适合在汽车、工业和消费电子等领域的应用。
低栅极电荷： 消耗较少的栅极电荷 (Qg)，在4.5V下最大值为21.7nC，意味着驱动电路所需的功耗较低，提高了开关频率性能，特别适用于高频率应用。
小型化设计： 6-HUSON-EP（2x2）的小型封装设计，能够有效降低PCB的占用空间，适合便携式设备和小型电子产品，为设计师提供灵活的布局选择。
三、规格参数
- 安装类型：表面贴装型
- 漏源电压（Vdss）：20V
- 连续漏极电流 Id：4A（Ta），3.4A（Ta）
- 导通电阻（最大值）：34毫欧 @ 3A, 4.5V
- 输入电容（Ciss）：660pF @ 10V
- 栅极阈值电压 Vgs(th)：900mV @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：21.7nC @ 4.5V
- 功率 - 最大值：490mW
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 封装类型：6-HUSON-EP（2x2）
四、应用场景
PMCPB5530X,115 的高性能特点使其成为多种应用的理想选择，包括但不限于：
- 电源管理：可用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源管理电路中，以优化能耗。
- 自动化设备：适用于需要高可靠性和耐高温的工业自动化设备。
- 汽车电子：满足汽车电子对高稳定性和宽工作温度范围的要求。
- 消费电子：在智能手机、平板电脑等消费电子产品中，因其小型化和高效性得到广泛应用。
- LED驱动电路：由于其快速开关特性，非常适合用于LED驱动电路。
五、结束语
PMCPB5530X,115 是一款结合了高性能、低功耗和小型化设计的MOSFET阵列，适应市场日益增长的高效电源管理与小型化电子产品的需求。其卓越的导电性能和宽广的工作范围，使其成为现代电子设计不可或缺的重要元件。选择PMCPB5530X,115，将为您的产品提供稳定、可靠的性能支持。