型号：
DDTC122LU-7-F
品牌：DIODES(美台)
封装：SOT323
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 200mW; SOT323; R1: 0.22kΩ
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产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基极 (R1)220 Ohms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）56 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70，SOT-323
供应商器件封装SOT-323
DDTC122LU-7-F 产品概述
一、产品简介
DDTC122LU-7-F 是一种高性能的 NPN 型双极晶体管，采用 SOT-323 表面贴装型封装，适用于广泛的电子应用。该晶体管的主要参数包括集电极最大电流为 100mA，集射极击穿电压最大可达 50V，以及最大功率输出为 200mW。凭借其良好的电流增益和优秀的频率响应，DDTC122LU-7-F 非常适合用于开关电路、放大器电路和射频应用。
二、关键参数
- 晶体管类型: NPN
- 最大集电极电流 (Ic): 100mA
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
- 基极电阻 (R1): 220Ω
- 发射极电阻 (R2): 10kΩ
- 最小 DC 电流增益 (hFE): 56 @ 10mA, 5V
- 最大饱和压降 (Vce(sat)): 300mV @ 250µA, 5mA
- 最大截止电流 (Ic切断): 500nA
- 频率跃迁 (f_T): 200MHz
- 最大功率: 200mW
- 封装类型: SOT-323
三、性能特点
DDTC122LU-7-F 的设计使其具备优良的线性特性和高效的开关性能，适合操作于多种负载环境。在工作频率高达 200MHz 的情况下，该晶体管可以提供稳定的增益，适合 RF 应用及高速数字电路。
该器件的基极电阻 R1（220Ω）与发射极电阻 R2（10kΩ）的设计，能够有效控制晶体管的偏置电流和增益特性，使其能够在不同电流和电压条件下保持良好的工作状态。
在处理高频信号时，其低截止电流（500nA）显著降低了串扰和噪声，从而在混合信号环境中表现出色。
四、应用领域
DDTC122LU-7-F 可广泛应用于如下领域：
- 开关电路: 在电源管理和电机控制中，用作开关闭合或断开的控制元件。
- 信号放大: 在模拟信号处理、音频放大器及传感器接口中，用于放大微小信号。
- 射频应用: 适用于无线通信、射频发射器和接收器中的信号调制和解调。
- 逻辑电路: 作为数字电路中的基础逻辑组件，进行信号的开关操作。
五、生产厂家
DDTC122LU-7-F 由 DIODES（美台）公司生产，作为优质电子元器件供应商，DIODES 提供高可靠性的半导体器件，服务于全球电子行业客户。同时，该产品符合多种国际电子元件标准，确保在不同环境中的稳定性和可靠性。
六、总结
DDTC122LU-7-F 是一款性能卓越的 NPN 脉冲电流达 100mA、最高 50V 工作电压的双极晶体管。凭借其稳定的增益、广泛的工作频率及小巧的 SOT-323 封装，该产品非常适合现代电子产品设计中的各种应用。无论是在开关控制、信号放大还是高频射频电路中，DDTC122LU-7-F 都表现出色，是您电子设计中的理想选择。