描述：Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
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产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）47 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3
DDTB143EC-7-F 产品概述
一、产品简介
DDTB143EC-7-F 是一款高性能的PNP型双极晶体管，专为各种电子应用而设计。该晶体管的主要特点包括其较高的电流承受能力、相对较宽的工作电压范围以及出色的频率响应特性，使其成为电源管理、信号放大以及开关电路等多个领域的理想选择。它采用了表面贴装型封装形式（SOT-23），适合现代电子产品的紧凑设计需求。
二、基本参数
- 晶体管类型：PNP - 预偏压
- 集电极电流 (Ic)：最大 500mA
- 集射极击穿电压 (Vce)：最大 50V
- 功率最大值：200mW
- 电流 - 集电极截止 (Ic(max))：500nA
- 频率 - 跃迁：高达 200MHz
- 封装：SOT-23，与TO-236-3、SC-59互换使用。
三、电性能参数
- 基极电阻 (R1)：4.7 kΩ
- 发射极电阻 (R2)：4.7 kΩ
- 直流电流增益 (hFE)：在50mA、5V驱动条件下的最小值为47
- 饱和压降 (Vce(sat))：最大 300mV（在2.5mA基极电流和50mA集电极电流情况下测得）
四、优势与应用
DDTB143EC-7-F 的设计旨在提供更高的电流增益与快速的切换速度，因此它在一些特定的应用中表现尤为出色。以下是一些可能的应用场景：
电源开关：其高电流与电压规格使得这款晶体管可以被用作高效的电源开关，可以在较高的负载下正常工作，从而提高电源管理的效率。
信号放大：DDTB143EC-7-F 的高直流电流增益特性使其非常适合用于信号放大电路，可以在音频、射频或其他类型的信号处理设备中广泛使用。
开关控制电路：得益于其较低的饱和压降，DDTB143EC-7-F 能够提供明显的开关性能，使其非常适合用于各种控制电路，如继电器驱动和灯光控制等应用。
便携式设备：由于其表面贴装的封装形式，DDTB143EC-7-F 是现代微型电子产品的理想选项，可以方便地布局于PCB版图上，从而降低产品的体积与重量。
五、总结
DDTB143EC-7-F 是一款高效的PNP晶体管，提供了强大的电流承载能力和良好的电气性能，使其在多个行业得到了广泛应用。无论是在高效电源管理、信号放大、还是在控制电路方面，它都展现出良好的可靠性和优越的性价比。结合其紧凑的封装与易于集成的特性，无疑为设计师在开发新产品时提供了一个强有力的工具。
对于希望提升电路设计的性能与紧凑度的工程师而言，DDTB143EC-7-F 是一个值得考虑的优秀选择。