型号：
DDTD114TC-7-F
品牌：DIODES(美台)
封装：SOT23
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：数字晶体管 200MW 10K
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.454
200+
0.292
1500+
0.254
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）100 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA（ICBO）
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3
DDTD114TC-7-F 产品概述
产品简介
DDTD114TC-7-F 是一款高性能 NPN 型晶体管，专为各种电子应用而设计。该晶体管采用表面贴装散热型封装 (SOT-23)，以提高实际应用中的空间利用率和电性能。该元器件在电流驱动、信号放大以及开关电路中具有广泛的应用前景。
性能参数
- 类型：NPN 预偏压晶体管
- 最大集电极电流 (Ic)：500 mA
- 最大集射极击穿电压 (Vce)：50 V
- 基极电阻 (R1)：10 kΩ
- 直流电流增益 (hFE)：在 50 mA 和 5 V 的条件下，最小为 100。
- 最大饱和压降 (Vce(sat))：在 2.5 mA 的基极电流和 50 mA 的集电极电流条件下，最大为 300 mV。
- 集电极截止电流 (ICBO)：最大为 500 nA
- 频率性能：跃迁频率高达 200 MHz，使其非常适合高频应用。
- 最大功率：200 mW
- 封装类型：SOT-23，适合各种表面贴装技术（SMT）应用。
应用场景
DDTD114TC-7-F 的多功能性和出色的参数使其适用于多种场合，并且适合用于希望提高能效和电路密度的现代电子设备中。以下是一些常见的应用范围：
开关电路：DDTD114TC-7-F 可以作为信号开关，切换电源和启动电路，特别适合需要快速开关的应用。
信号放大：由于该晶体管具有良好的直流增益，适用于音频放大器及其他信号放大电路，可以放大微小信号，将其转换为可用的输出。
电子开关：可用于控制 LED 灯、继电器等负载的电子开关电路，提高电路的智能化水平。
高频应用：凭借高达 200 MHz 的频率性能，DDTD114TC-7-F 非常适合 RF 应用、调制解调器、无线通信等需要高频率和高速响应的场合。
节能与高效
DDTD114TC-7-F 的设计充分考虑了功率效率。其饱和压降较低，能有效减少能量损耗，特别是在开关应用中能够显著提高整个电路的能效。此外，500 nA 的集电极截止电流使其在待机时耗电极少，这为便携式设备和电池供电应用提供了理想的解决方案。
结论
综上所述，DDTD114TC-7-F 是一种性能卓越、足够灵活的 NPN 晶体管，适用于各种现代电子设备。无论是在开关、信号放大还是高频应用中，该元器件均能提供可靠的性能和能效。选择 DDTD114TC-7-F，将为设计师与工程师们提供更多的创新可能性，推动电子元器件技术的进一步发展。