型号：
MMDT4126-7-F
品牌：DIODES(美台)
封装：SOT363
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -25V 200mW
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.554
200+
0.358
1500+
0.311
产品参数
属性参数值
晶体管类型2 PNP（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）200mA
电压 - 集射极击穿（最大值）25V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）400mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）50nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）120 @ 2mA，1V
功率 - 最大值200mW
频率 - 跃迁250MHz
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装SOT-363
MMDT4126-7-F 产品概述
一、产品简介
MMDT4126-7-F 是由 DIODES（美台公司）制造的一款高性能 PNP 晶体管，属于 SOT-363 封装系列，适合各种表面贴装应用。该晶体管集成了出色的电气特性与宽广的工作温度范围，使其在不同的电路设计中具有良好的适应能力，广泛应用于信号放大、开关电路及功率管理系统。
二、主要特点
晶体管类型：
- MMDT4126-7-F 是一款 PNP 型晶体管，能够在负极性输入的情况下正常工作，适用于多种电路设计。
电流与电压参数：
- 最大集电极电流（Ic）为 200mA，确保了该器件能够应对高负载电流的需求。
- 集射极击穿电压（Vce）为 25V，提供了一定的电气保护，适合各种应用场景。
功率能力：
- 该器件的最大功率为 200mW，让其在高功率或高热环境下的使用变得更加灵活，使用时需注意热管理。
电压降落性能：
- Vce 饱和压降在不同的基极电流（Ib）下分别为 400mV @ 5mA 和 50mA，体现了其出色的饱和性能，适合低功耗设计。
电流增益：
- MMDT4126-7-F 在 2mA 集电极电流和 1V 的条件下，具有至少 120 的直流电流增益（hFE），可用于放大电路设计。
工作频率：
- 最大跃迁频率达到 250MHz，可用于高频通信设备，满足现代电路设计中对频率响应的要求。
温度范围：
- 工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在极端温度环境下稳定工作，极大地扩展了其应用领域。
封装特性：
- 采用 SOT-363 封装，尺寸小，便于集成在密集布局的电路板上，符合现代微型化设计的趋势。
三、应用领域
MMDT4126-7-F 晶体管凭借其优异的性能，主要应用于以下几个领域：
- 开关电路：在开关电源和逻辑电路中，MMDT4126-7-F 可作为开关元件，对于低功耗应用尤为重要。
- 音频放大器：由于其优异的电流增益特性，该器件可以用于音频信号的放大，提升音频信号的清晰度和功率。
- 射频电路：其高频特性使其成为射频传输及处理电路的理想选择，适应于无线通信设备中。
- 信号处理：在模拟信号处理电路中，应对一些较小信号放大及开关控制方面的需求。
四、总结
MMDT4126-7-F 是一款具有多重优势的 PNP 晶体管，具备良好的电气性能与宽广的工作温度范围，使其成为多种电子产品设计的理想选择。无论在电源管理、音频放大还是射频应用中，MMDT4126-7-F 都能提供出色的可靠性与性能。随着电子产品的创新与发展，MMDT4126-7-F 的应用潜力将愈发显著，是提升电子设计效率与性能的有力工具。