型号:

DMN3023L-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
DMN3023L-13 产品实物图片
DMN3023L-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 900mW 30V 6.2A 1个N沟道 SOT-23-3
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)25mΩ@4A,10V
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)18.4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)873pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)67pF@15V
工作温度-55℃~+155℃@(Tj)

产品概述:DMN3023L-13

基本信息

DMN3023L-13 是一款高性能的 N 通道 MOSFET(场效应管),由美台(Diodes Incorporated)公司生产。其设计旨在满足高效率开关和线性应用的需求,适用于广泛的电子设备中。该器件采用 SOT-23 封装,适合于表面贴装,能够有效地节省电路板空间。

关键参数

  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 最大连续漏极电流(Id): 6.2A(在 25°C 环境下)
  • 驱动电压(Vgs): 2.5V 至 10V
  • 导通电阻(Rds(on)): 最大值 25 毫欧 @ 4A, 10V
  • 阈值电压(Vgs(th)): 最大值 1.8V @ 250µA
  • 栅极电荷(Qg): 最大值 18.4nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss): 最大值 873pF @ 15V
  • 功率耗散: 最大值为 900mW(在 25°C 环境下)
  • 工作温度范围: -55°C 至 155°C (结温 TJ)
  • 封装类型: SOT-23

应用场景

DMN3023L-13 的广泛应用场景包括:

  1. 电源管理: 该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、负载开关以及电源管理 IC,能够高效地调节电压和电流。

  2. 电机控制: 在电机驱动应用中,DMN3023L-13 提供高效开关和线性控制,适用于直流电机、无刷电机等。

  3. 高频应用: 由于其较低的导通电阻和较小的输入电容,DMN3023L-13 在高频开关电路中表现优异,适合用于开关电源和信号放大器。

  4. 消费电子: 该器件在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑内,支持电源管理和负载控制。

电气特性分析

  1. 导通电阻: DMN3023L-13 的 Rds(on) 值为 25 毫欧,这意味着在工作状态下,它能够以极低的损耗进行电流传递,因此能有效提升整体能效,特别是在需要持续高电流的应用中。

  2. 阈值电压: Vgs(th) 的最大值为 1.8V,这使得该 MOSFET 在较低的栅极电压下就能开始导通,适用于低电压驱动的应用。

  3. 温度特性: 该器件的工作温度范围达到 -55°C 至 155°C,表明其在高度苛刻的环境中仍能够稳定工作,因此适用于工业和汽车等应用领域。

封装和尺寸

配置为 SOT-23 封装,该器件具有小巧的体积,非常适合于现代便携式和紧凑型设备。SOT-23 封装不仅提供了优良的散热性能,还优化了电气连接,保证了电路的可靠性。

总结

DMN3023L-13 以其稳定的电气性能和高效的热管理特点,成为了众多电源管理、电机控制和高频应用中不可或缺的元件。无论是在消费电子,还是工业和汽车领域,凭借其高效、可靠的表现,DMN3023L-13 满足了现代电子产品设计的严格要求,是开发和设计中的理想选择。