描述：场效应管(MOSFET) 720mW 40V 4.6A 1个N沟道 SOT-23-3
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)4.6A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)42mΩ@10V
功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12.5nC
输入电容(Ciss@Vds)574pF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)38.7pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
DMN4035LQ-7 产品概述
一、基本信息
DMN4035LQ-7 是一种 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。该器件由知名半导体制造商 DIODES（美台）生产，其低导通电阻和高电流承载能力使其成为众多电子电路设计中的理想选择。
二、主要特性
电气性能
- 漏源电压 (Vdss): 高达 40V，使其能够在多种电源供应情况下可靠工作。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 下最大值为 4.6A，能够适应较高的电流需求，这对于驱动负载和推动开关频率都至关重要。
- 最大 Rds(on): 在 Vgs 为 10V 时，导通电阻（Rds(on)）仅为 42mΩ，这对于降低功耗和提升电路效率具有重要意义。
驱动条件
- 驱动电压: 除了 10V 外，4.5V 也能驱动该器件，不同的驱动电压帮助设计人员选择合适的工作条件以优化效能。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大为 3V，这一特性使其在低电压条件下也能开启，适合用于低压应用场合。
电容特性
- 输入电容 (Ciss): 在 20V 下最大为 574pF，低输入电容有助于提升开关速度，并降低交叉导通损耗。
功率和温度范围
- 功率耗散: 最大 720mW，适合中低功率电路。
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围，使该 MOSFET 可以在严苛的环境中稳定运行。
封装设计
- 安装类型: 采用表面贴装型（SOT-23），适合现代电子器件的紧凑设计，便于自动化的贴片装配。
- 封装/外壳规格: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3，符合行业标准，便于在不同应用中使用。
三、应用领域
DMN4035LQ-7 适用于多种电子系统，包括但不限于：
- 电源管理：作为开关稳压器、DC-DC 转换器和功率放大器中的主开关元件。
- 传感器电路：在自动化和控制系统中用作负载开关。
- 负载驱动：广泛应用于电机驱动、LED 驱动等领域，以低损耗和高效能驱动各种负载。
- 高频开关电路：由于其低电容特性，可以在高频应用中降低开关损耗。
四、结论
DMN4035LQ-7 是一款性能优越的 N 通道 MOSFET，在电气性能、驱动条件、功率耗散和工作温度范围等方面均表现出色，适合应用在多种电子产品和工业设备中。其表面贴装设计使其易于集成于现代高密度电路中，成为电源管理和开关控制领域中的理想选择。通过选择 DMN4035LQ-7，设计师可以有效提高电路的性能和可靠性，为各种电子应用提供稳定的解决方案。