型号:

DMP1022UFDF-13

品牌:DIODES(美台)
封装:U-DFN2020-6
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
DMP1022UFDF-13 产品实物图片
DMP1022UFDF-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 730mW 12V 9.5A 1个P沟道 UDFN2020-6
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.923
10000+
0.881
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)9.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14.8mΩ@4A,4.5V
功率(Pd)730mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)350mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)48.3nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)2.712nF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)467pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

产品概述:DMP1022UFDF-13

DMP1022UFDF-13是一款由Diodes Incorporated制造的高性能P沟道MOSFET(场效应管),其设计用于满足现代电子电路中对高效能和高可靠性的要求。该器件采用表面贴装形式,封装型号为U-DFN2020-6(F类),适合在空间受限的应用中使用。

关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): DMP1022UFDF-13的最大漏源电压为12V,这使得它能够在多种低压电子应用中有效工作。

  2. 电流承载能力(Id): 在25°C时,该MOSFET能够连续承载高达9.5A的漏极电流,这使得它在驱动负载时具备相当好的能力。

  3. 导通电阻(Rds(on)): 当栅极电压Vgs为4.5V且电流Id为4A时,导通电阻的最大值为14.8毫欧,这一特性有助于降低能量损耗,提升电路的整体效率。

  4. 驱动电压: DMP1022UFDF-13在最大Rds(on)下可以在1.2V和4.5V的驱动电压下工作,使其在不同应用场景中更加灵活。

  5. 门阈值电压(Vgs(th)): 该器件在250μA漏电流下的最大门阈值电压为800mV,意味着它具有较低的开关阈值,可以在较低的控制电压下工作。

  6. 功率耗散: DMP1022UFDF-13的最大功率耗散为730mW,具有良好的热管理能力,适合高密度布局的应用。

  7. 工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C(TJ),能够在极端环境下稳定工作,适用于各种工业和汽车应用。

  8. 输入电容(Ciss)和栅极电荷(Qg): 在10V的条件下,该器件的输入电容最大值为2712pF,而在4.5V下的栅极电荷最大值为48.3nC,实现在频率较高的开关操作时的良好性能。

应用领域

DMP1022UFDF-13广泛应用于各种电子设备,包括但不限于:

  • 电源管理: 可用于DC-DC转换器和电压调节器,以提高电源效率。
  • 驱动电路: 该MOSFET适合用于电动机驱动电路,如直流电机和步进电机等。
  • 负载开关: 适用于卫星器件、自动化控制和负载开关电路,能够实现低损耗的电源切换。
  • 消费电子产品: 包括手机、电站等小型电源装置,适用于高效能电源管理设计。

总结

DMP1022UFDF-13是一款高效能的P沟道MOSFET,凭借其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围,为设计工程师在电源管理与驱动电路等领域提供了可靠的解决方案。无论是在汽车、工业还是各种消费电子应用中,DMP1022UFDF-13凭借其优异的性能和灵活的应用性,均能满足严苛的市场需求。若您正在寻找高效率、低导通电阻和宽工作环境适应性的场效应管,DMP1022UFDF-13无疑是一个值得考虑的优质选择。