DMP1022UFDF-13是一款由Diodes Incorporated制造的高性能P沟道MOSFET(场效应管),其设计用于满足现代电子电路中对高效能和高可靠性的要求。该器件采用表面贴装形式,封装型号为U-DFN2020-6(F类),适合在空间受限的应用中使用。
漏源电压(Vdss): DMP1022UFDF-13的最大漏源电压为12V,这使得它能够在多种低压电子应用中有效工作。
电流承载能力(Id): 在25°C时,该MOSFET能够连续承载高达9.5A的漏极电流,这使得它在驱动负载时具备相当好的能力。
导通电阻(Rds(on)): 当栅极电压Vgs为4.5V且电流Id为4A时,导通电阻的最大值为14.8毫欧,这一特性有助于降低能量损耗,提升电路的整体效率。
驱动电压: DMP1022UFDF-13在最大Rds(on)下可以在1.2V和4.5V的驱动电压下工作,使其在不同应用场景中更加灵活。
门阈值电压(Vgs(th)): 该器件在250μA漏电流下的最大门阈值电压为800mV,意味着它具有较低的开关阈值,可以在较低的控制电压下工作。
功率耗散: DMP1022UFDF-13的最大功率耗散为730mW,具有良好的热管理能力,适合高密度布局的应用。
工作温度范围: 该器件的工作温度范围为-55°C至150°C(TJ),能够在极端环境下稳定工作,适用于各种工业和汽车应用。
输入电容(Ciss)和栅极电荷(Qg): 在10V的条件下,该器件的输入电容最大值为2712pF,而在4.5V下的栅极电荷最大值为48.3nC,实现在频率较高的开关操作时的良好性能。
DMP1022UFDF-13广泛应用于各种电子设备,包括但不限于:
DMP1022UFDF-13是一款高效能的P沟道MOSFET,凭借其卓越的电气特性和宽广的工作温度范围,为设计工程师在电源管理与驱动电路等领域提供了可靠的解决方案。无论是在汽车、工业还是各种消费电子应用中,DMP1022UFDF-13凭借其优异的性能和灵活的应用性,均能满足严苛的市场需求。若您正在寻找高效率、低导通电阻和宽工作环境适应性的场效应管,DMP1022UFDF-13无疑是一个值得考虑的优质选择。