型号:

DMC4015SSD-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:-
包装:编带
重量:0.113g
其他:
DMC4015SSD-13 产品实物图片
DMC4015SSD-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 40V 8.6A;6.2A 1个N沟道+1个P沟道 SO-8
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.54
2500+
2.43
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)12.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15mΩ@3A,10V
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)40nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.81nF@20V;1.626nF@20V
工作温度-55℃~+150℃

DMC4015SSD-13 产品概述

一、产品简介

DMC4015SSD-13是DIODES公司推出的一款高性能场效应管(MOSFET),该器件采用先进的表面贴装技术(SMD),以其出色的电气特性和温度稳定性,广泛应用于各种电子设备中。此器件以一个N沟道和一个P沟道组成,集成在一个紧凑的SO-8封装中,适合空间有限的应用场景,如电源管理、开关电路、驱动电路和其他高频应用。

二、关键参数

  • 工作电流与导通电阻

    • 最大连续漏极电流(Id): N沟道为8.6A,P沟道为6.2A,确保在多种工作条件下的出色性能。
    • 在不同的栅源电压(Vgs)下,该器件具备最大导通电阻(Rds(on))为15毫欧@3A,10V(25°C),使之在高电流应用中保持低功耗和高效率。
  • 输入电容与栅极电荷

    • 在漏源电压(Vds)为20V时,输入电容(Ciss)达1810pF,表明其在高频应用中的优越适应性。
    • 最大栅极电荷(Qg)为40nC@10V,确保其快速开关特性,适合高频及快速切换的电路。
  • 电压耐受能力

    • 漏源电压(Vdss)为40V,意味着该器件能够在较高电压条件下安全可靠地工作,适用范围广泛。
  • 阈值电压

    • 不同漏极电流(Id)时的阈值电压(Vgs(th))为3V@250µA,提供了一定的控制灵活性,使设计工程师能够根据特定应用需求来调节工作特性。
  • 工作温度范围

    • 该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C(TJ),确保在极端环境条件下仍能保持稳定的工作性能。

三、应用领域

DMC4015SSD-13因其优异的电气特性,被广泛应用于以下几种场景:

  1. 电源管理

    • MOSFET可用于DC-DC转换器电路,作为开关元件,提高转换效率,同时降低发热量。
  2. 电机驱动

    • 采用该器件的H桥驱动电路,能够实现高效的电机控制,如步进电机和直流电机的驱动。
  3. 高频开关电源

    • 在高频开关电源设计中,低导通电阻与快速切换特性使其成为理想选择,有效降低功率损耗。
  4. 灯光调节与智能电源

    • 在LED驱动电路中,利用MOSFET实现精确的亮度调节,提供更好的用户体验,同时延长LED的使用寿命。
  5. 消费电子产品

    • 在智能手机、平板电脑及其他便携设备中,用于电源开关、信号放大等功能。

四、总结

DMC4015SSD-13是一款高效、稳定及灵活的MOSFET器件,凭借其先进的设计理念和优越的电气特性,满足现代电子设备日益增长的性能需求。无论是在电源管理、电机驱动还是高频开关等应用中,DMC4015SSD-13都能提供出色的表现,是设计工程师的理想选择。对于追求高效率和稳定性的设计方案,DMC4015SSD-13无疑是一个值得信赖的解决方案。