描述：MOSFET MOSFET BVDSS: 501V~650V SOT23 T&R 10K
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5000+
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0.353
产品参数
属性参数值
制造商Diodes Incorporated
包装卷带（TR）
零件状态最后售卖
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）500 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.4V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）2 nC @ 5 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）30.9 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）1W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
产品概述：BSS126SK-13 N通道MOSFET
1. 引言
BSS126SK-13 是由Diodes Incorporated制造的一款高性能N通道MOSFET，具有广泛的应用潜力。其优秀的技术规格使其在各种电子电路中实现高效能的开关和放大功能。凭借其卓越的质量和可靠性，BSS126SK-13已经成为许多设计工程师的首选器件之一。
2. 基础参数
BSS126SK-13的主要规格如下：
- FET类型: N通道
- 技术: 金属氧化物场效应管（MOSFET）
- 漏源电压（Vdss）: 600 V
- 25°C时的连续漏极电流（Id）: 30 mA
- 导通电阻（Rds On）: 10V下最大500Ω @16mA
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大1.4V @ 8µA
- 驱动电压（Vgs）: 0V至±20V
- 输入电容（Ciss）: 最大30.9 pF @ 25 V
- 栅极电荷（Qg）: 最大2 nC @ 5 V
- 功率耗散: 最大1W
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 封装类型: SOT-23-3，符合TO-236-3和SC-59标准
3. 性能特征
BSS126SK-13的设计旨在满足现代电子产品对高效能和高可靠性的要求。其600V的漏源电压等级使其能够承受较高的电压环境，对于电源管理、高压开关应用，或者作为功率转换器中的开关元件，BSS126SK-13都是理想的选择。
该MOSFET在导通状态下的5V驱动电压下，Qg仅为2nC，确保其以低损耗的方式实现快速开关。这一特性使得BSS126SK-13尤为适合于高频应用，如开关电源和射频放大器。
4. 应用场景
BSS126SK-13广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理: 由于其高耐压和低门控电量特性，此器件可用于DC-DC转换器和电力开关。
- 开关电路: 在各种自动化设备、控制器和有源识别设备中作为开关元件发挥作用。
- 音频放大器和射频应用: 在较高频率的电路中，表现出色，适合用于放大和调制电路。
- 家用电器控制: 可用于家用电器中的功率开关，提升设备的可靠性。
5. 设计注意事项
在设计中使用BSS126SK-13时，应考虑其最大功率耗散不超过1W，并确保温度保持在规定范围内。此外，建议在设计中提供适当的热管理措施，以确保器件正常工作。
同时，对Vgs、Vds、Id及其他参数进行正确的配置，可以最大化该MOSFET的性能并确保其长久稳定的工作。
6. 总结
BSS126SK-13是一款兼具高压、高效能和耐用性的N通道MOSFET，适合多种应用场景。凭借其优越的性能参数和 Diodes Incorporated的品牌信誉，BSS126SK-13将在未来的电子产品设计中继续扮演重要角色。无论是在电源管理还是开关应用中，BSS126SK-13都能够提供稳定的解决方案，有助于满足现代市场对电子元件日益增长的性能要求。