型号:

SBR60A150CT-G

品牌:DIODES(美台)
封装:TO220AB
批次:-
包装:管装
重量:-
其他:
-
SBR60A150CT-G 产品实物图片
SBR60A150CT-G 一小时发货
描述:二极管阵列 1 对共阴极 150 V 30A 通孔 TO-220-3
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产品参数
属性参数值
制造商Diodes Incorporated
系列SBR®
包装管件
零件状态在售
二极管配置1 对共阴极
二极管类型超级势垒
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)150 V
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)30A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)930 mV @ 30 A
速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏300 µA @ 150 V
工作温度 - 结-65°C ~ 175°C
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装TO-220-3

SBR60A150CT-G 产品概述

SBR60A150CT-G 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能超级势垒二极管,属于其 SBR® 系列。该器件专为各种电力应用而设计,广泛应用于电源管理、逆变器、DC-DC 转换器和电机驱动等领域,以满足高电流和高电压的需求。其优异的电气特性使之成为高效率电源电路中的理想选择。

基本参数

SBR60A150CT-G 的主要参数包括:

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: SBR®
  • 封装类型: TO-220-3,适合通孔安装
  • 二极管配置: 1 对共阴极设计
  • 额定反向电压 (Vr): 最大可达 150 V
  • 平均整流电流 (Io): 每二极管可承载 30A。
  • 正向电压降 (Vf): 当电流为 30 A 时,电压降为 930 mV
  • 反向漏电流: 在 150 V 下,漏电流为 300 µA,显示了其优越的反向特性。

性能特点

SBR60A150CT-G 的设计采用了超级势垒技术,旨在减少正向电压降和提高反向恢复性能。此技术使得该驱动器在开关频率较高的操作中表现出更好的性能,使能量损失降至最低。其标准恢复速度超过 500 ns,适合各种高速开关的应用。

工作温度范围

本产品的工作结温范围为 -65°C 至 175°C。这种宽温度范围使得该器件能够在各种恶劣的环境下稳定工作,保证了在极端条件下的可靠性。

封装和安装

SBR60A150CT-G 使用 TO-220-3 封装。这种封装形式能够有效散热,增加了器件的稳定性,并且便于通孔安装,适合于设计中对散热要求较高的应用场景。

应用领域

SBR60A150CT-G 广泛应用于:

  • 电源供应(如开关电源、高效电源管理系统)
  • 电机控制(包括驱动和逆变器应用)
  • 储能设备(如电池管理系统)
  • 其他高电流与高电压的电力转换应用

结论

SBR60A150CT-G 是一款性能卓越、可靠性高的超级势垒二极管,特别适合需要高效率和高电流管理的电力应用。凭借其出色的正向电压降、宽工作温度范围和优秀的逆向特性,使其在复杂可靠性的电力系统中展现出巨大的适应性。对工程师而言,选择 SBR60A150CT-G 将极大地增强设计的效率和稳定性,是实现高性能电源和电机控制系统的理想选择。