型号：
DDTC142JU-7-F
品牌：DIODES(美台)
封装：SOT323
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：数字晶体管 200MW 0.47K 10K
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.258
200+
0.167
1500+
0.144
产品参数
属性参数值
制造商Diodes Incorporated
包装剪切带（CT）
零件状态Digi-Key 停产
晶体管类型NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）56 @ 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 250µA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA
安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70，SOT-323
供应商器件封装SOT-323
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基极 (R1)470 Ohms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
基本产品编号DTC142
DDTC142JU-7-F 产品概述
产品简介
DDTC142JU-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 NPN 预偏压晶体管，采用 SOT-323 封装形式，以其卓越的性能和多功能性广泛应用于各类电子设备中。此款晶体管的设计旨在满足低功耗应用需求，特别是在提供可靠的开关和放大功能时。凭借其出色的电气特性和小型表面贴装封装，DDTC142JU-7-F 是现代电子设计中的理想选择。
主要参数
- 类型: NPN - 预偏压
- 封装: SOT-323
- 制造商: Diodes Incorporated
- 最大集电极电流 (Ic): 100mA
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 50V
- DC 电流增益 (hFE): 最小 56@10mA，5V
- 饱和压降 (Vce(sat)): 最大 300mV @ 250µA，5mA
- 集电极截止电流 (Ic(max)): 500nA
- 跃迁频率 (fT): 200MHz
- 功率最大值: 200mW
- 包装方式: 剪切带（CT）
应用场景
DDTC142JU-7-F 可广泛应用于各种需要开关能力和放大功能的领域，包括：
- 音频放大器: 在音频信号处理应用中，能够实现高增益和低失真的信号放大。
- 开关电路: 适用于各种开关场合，能够有效控制电流，进行开关操作。
- 组件驱动: 可用于驱动继电器和小型电机，控制大功率负载。
- 无线通信: 其高频特性使其适合用于 RF 放大器电路，提升信号强度和质量。
性能优势
- 高增益及低饱和压降: 具有良好的 DC 电流增益，使得在较小的基极电流下能够控制较大的集电极电流，从而降低功耗。
- 宽电压工作范围: 可在 50V 的集射极击穿电压下稳定工作，适合多种电压环境的系统设计。
- 小型化设计: SOT-323 封装确保了空间的节省，便于在体积受限的电路板上使用，适用于便携式和紧凑型设备。
- 高频特性: 最大 200MHz 的跃迁频率使该晶体管适合高频率信号处理，并能够稳定工作在射频应用中。
设计考虑
在设计和实施基于 DDTC142JU-7-F 的电路时，应考虑以下几个方面：
- 基极电阻配置: 使用 470Ω 的基极电阻 (R1) 和 10kΩ 的发射极电阻 (R2) 的设计能够提高电流增益，确保晶体管在适当的工作点上运行。
- 散热管理: 尽管该器件的最大功率为 200mW，但在高负载条件下工作时，仍需进行适当的散热设计，以防止因过热导致性能下降或失效。
- 电源稳定性: 确保稳定的供电电压对保持器件性能至关重要，尤其是在面对不同负载条件时。
结论
DDTC142JU-7-F 是一款快速、可靠、低功耗的 NPN 晶体管，适用于多种电子应用。其具有的高增益、低饱和压降及出色的频率响应，使其在多个领域具备广泛的应用潜力。无论是用于音频信号处理、开关电路，或是在无线通信中的 RF 放大应用，DDTC142JU-7-F 都是工程师和设计师的优选器件。