型号：
DDTB123TU-7-F
品牌：DIODES(美台)
封装：SOT323
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：数字晶体管 200MW 2.2K
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.25
3000+
0.221
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）100 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA（ICBO）
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70，SOT-323
供应商器件封装SOT-323
DDTB123TU-7-F 产品概述
一、产品简介
DDTB123TU-7-F 是一款由 DIODES（美台）公司推出的高性能 PNP 型表面贴装（SMD）晶体管，采用 SOT-323 封装，广泛应用于电子电路中的开关和放大器等场景。该器件以小巧的体积、优异的电性能和高工作频率为特点，适合多种消费电子产品、工业控制及通信设备。
二、主要特点
晶体管类型： DDTB123TU-7-F 属于 PNP 类型预偏压晶体管，具有良好的开关性能和线性放大特性，非常适合在需要反向电流控制的应用场合中使用。
电流和电压性能：
- 最大集电极电流 (Ic): 500mA，使得该器件能在较大的负载条件下工作，适用范围广泛。
- 集射极击穿电压 (Vce): 最大50V，可承受较高的电压，这个特性使得 DDTB123TU-7-F 在电源管理和信号调节中表现优异。
电流增益：
- DDTB123TU-7-F 在不同的集电极电流 (Ic) 和集电极-发射极电压 (Vce) 下 mínimo DC 电流增益 (hFE) 可达到 100，且在 5V 的供电条件下，5mA 的基极电流 (Ib) 表现良好，这使得它适用于需要高增益的应用。
饱和压降：
- 最大饱和压降为 300mV，在 2.5mA 的基极电流和 50mA 的集电极电流下，这种低饱和压降有助于提高功率效率，减少信号失真的可能性。
低截止电流：
- 集电极截止电流 (ICBO) 最大 500nA，表现出良好的关断特性，适合需要低功耗待机状态的应用。
跃迁频率：
- 频率范围可达 200MHz，使得 DDTB123TU-7-F 能够满足高速信号处理的需求，非常适合在高频应用中使用，如 RF 放大器和混频器。
功率处理能力：
- 最大功率为 200mW，允许器件在多个条件下稳定工作，适合多种电路类型。
封装和安装：
- 采用 SOT-323 封装，表面贴装设计，使得其在现代自动化生产线中具备良好的装配性能，并且节省空间，适用于紧凑的电子设备。
三、应用领域
DDTB123TU-7-F广泛应用于如下领域：
- 消费电子：如手机、平板电脑、便携式音箱和其他应用中需要开关和放大器的电路。
- 工业控制：用于自动化设备和传感器接口，提供可靠的信号放大和转换。
- 通信设备：在无线通信模块、射频模块等高频电路中，用于信号放大和处理。
- 电源管理：可用于各种开关电源和直流-直流转换器中，以控制输出电流和电压，从而提高系统的整体效率。
四、总结
综上所述，DDTB123TU-7-F 是一款极具性价比的 PNP 表面贴装晶体管，凭借其出色的电气性能、紧凑的封装和广泛的应用场景，必将在现代电子产品设计中得到广泛应用。对于需要高可靠性、低功耗、高频率操作的电子项目，该器件无疑是一个理想的选择。