描述：MOSFET MOSFET BVDSS: 501V~650V SOT23 T&R 3K
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.603
200+
0.416
1500+
0.377
3000+
0.353
产品参数
属性参数值
制造商Diodes Incorporated
包装卷带（TR）
零件状态最后售卖
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)30mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）0V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）500 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.4V @ 8µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）2 nC @ 5 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）30.9 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）1W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装SOT-23-3
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS126SK-7 产品概述
BSS126SK-7是由Diodes Incorporated制造的一款高性能N通道MOSFET，专为各种电子应用而设计，具有卓越的电气特性和高可靠性。该半导体器件在表面贴装型(SMD)封装中极其有效，能够满足各种空间和功率限制的需求，适用于现代电子设备的电源管理、开关控制和信号处理等多种应用场景。
1. 关键规格和特点
- FET类型：N通道
- 封装：SOT-23-3（TO-236-3，SC-59）
- 漏源电压（Vdss）：600V，确保在高电压环境下的稳定性和安全性。
- 额定电流（Id）：在25°C时的连续漏极电流为30mA，表明该器件适合于低功耗应用。
- 驱动电压：支持0V至10V的驱动电压范围，极大地提高了应用的灵活性。
- 导通电阻（Rds(on)）：在不同电流和栅极电压下，最大导通电阻为500Ω (在16mA和10V条件下)，这对于减小功耗和热量产生非常重要。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为1.4V（在8µA下），有效降低了栅极驱动功耗。
- 栅极电荷（Qg）：最大栅极电荷为2nC（在5V下），使得该器件具有更快的开关速度。
- 输入电容（Ciss）：在25V时，最大输入电容为30.9pF，确保了快速响应性能。
- 最大功率耗散：在环境温度下(25°C)，最大功率耗散为1W，适合于高功率应用。
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C，为高温和低温环境下的应用提供了广泛的兼容性。
2. 应用场景
BSS126SK-7的设计使其适用于多种应用，包括但不限于：
- 电源管理电路：在开关电源和稳压器中用作开关元件，提供高效的电源转换。
- 信号开关：可以用于低功耗信号线路的切换，确保信号的完整性和质量。
- 负载驱动：适合各种负载驱动场景，包括小型电机、继电器和LED等。
- 便携式设备：由于其小型化SOT-23封装，适合空间受到限制的便携式电子设备。
3. 设计考量
在设计过程中使用BSS126SK-7时，设计师应特别关注以下几点：
- 散热管理：由于该器件在高电流条件下可能产生显著的热量，设计散热方案以确保温度在安全工作范围内是必须的。
- 驱动电压匹配：确保栅极驱动电压在推荐范围内，以保证最佳性能和响应速度。
- PWM调制：在频繁开关应用中，合理配置PWM信号可提升该器件的工作效率和整体系统的性能。
4. 结论
BSS126SK-7不仅仅是一款标准的N通道MOSFET，其在多个关键规格上都表现出色，特别是在高电压、高温度以及低功耗方面的兼容性，使其成为当今电子设计中不可或缺的组件之一。Diodes Incorporated凭借其强大的制造能力和可靠的产品，确保了BSS126SK-7在行业中的竞争力和可用性，成为电源管理和开关控制应用中的理想选择。