型号：

DDTB114TU-7-F

品牌：DIODES(美台)
封装：SOT323
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
DDTB114TU-7-F 产品实物图片
DDTB114TU-7-F 一小时发货
描述：数字晶体管 200MW 10K
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0.287
1500+
0.25
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）100 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA（ICBO）
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70，SOT-323
供应商器件封装SOT-323

DDTB114TU-7-F 产品概述

一、产品简介

DDTB114TU-7-F 是由美台丁达电子（DIODES）公司推出的一款表面贴装型PNP晶体管，适用于多种电子电路的驱动和放大应用。该器件采用SOT-323封装，使其在紧凑型电路设计中尤为合适。凭借其优异的电气性能和可靠性，DDTB114TU-7-F广泛应用于消费电子、通信设备及工业控制等领域。

二、基本参数

  1. 晶体管类型: PNP 预偏压

    • 作为一种PNP型晶体管，DDTB114TU-7-F能够通过基极施加的负电压来控制集电极至发射极的电流流动。

  2. 电流 - 集电极 (Ic) 最大值: 500mA

    • 本器件的集电极最大电流为500mA，能够满足中低功率的应用需求。

  3. 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50V

    • 集射极的击穿电压为50V，确保在正常工作条件下的电气隔离。

  4. 基极电阻R1: 10 kOhms

    • 适合用于调节输入基极电流，以确保晶体管在适当的电流增益下工作。

  5. 增益 (hFE): 最小100 @ 5mA, 5V

    • 在特定的电流条件下，提供稳定的DC电流增益，使该器件在多种放大应用中表现出良好的线性特性。

  6. 饱和压降 (Vce): 最大300mV @ 2.5mA, 50mA

    • 低饱和压降特性使得该器件能够在开关状态下减少功耗并提升效率。

  7. 集电极截止电流 (ICBO): 最大500nA

    • 极小的集电极截止电流确保了在关断状态下设备的低泄漏电流，提升了整体能效。

  8. 频率 - 跃迁: 200MHz

    • 高达200MHz的跃迁频率，适用于快速切换和高频信号处理的应用。

  9. 功率 - 最大值: 200mW

    • 应用时需注意功耗，确保设备在最大功率范围内稳定工作。

  10. 安装类型/封装: 表面贴装型 / SOT-323

    • SOT-323封装适合于表面贴装工艺，使得器件在空间有限的应用中得以灵活使用。

三、应用领域

DDTB114TU-7-F 由于其特有的电气性能，使其能够广泛应用于以下几个领域：

  1. 消费电子:

    • 用于音频和视频信号的放大。
    • 杂音控制和输出级放大等应用。

  2. 通信设备:

    • 适用于信号的放大，如无线电频率（RF）信号处理。

  3. 工业控制:

    • 在传感器接口及控制电路中作为开关元件使用。
    • 适合小型电动机驱动应用。

四、设计注意事项

在使用DDTB114TU-7-F进行电路设计时，应注意以下几点：

  1. 操作在其最大额定值以下，以保证长期稳定性与可靠性。
  2. 确保合理的基极电阻选择，以适应不同的输入信号。
  3. 设计过程中需考虑散热，以防止器件因过热导致性能下降。
  4. 选择合适的PCB布局，以降低电磁干扰（EMI）和噪声。

五、总结

DDTB114TU-7-F是一个性能优越、灵活应用的PNP型晶体管，凭借其高增益、低饱和压降及小封装形式，成为设计工程师在中低功率应用中的优选元件。通过适当的电路设计及考虑其特性，DDTB114TU-7-F能够在多种电子设备中发挥关键作用。