型号：
DDTB113EC-7-F
品牌：DIODES(美台)
封装：SOT23
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：晶体管 双极 (BJT) 单，预偏置) PNP 预偏压 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-23-3
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.348
200+
0.225
1500+
0.196
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基极 (R1)1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)1 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）33 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3
DDTB113EC-7-F 产品概述
一、产品简介
DDTB113EC-7-F 是一款高性能的PNP型晶体管，属于美台（DIODES）公司高频及低功耗器件系列。该器件采用SOT-23封装，旨在实现表面贴装，以满足现代电子产品小型化的设计需求。DDTB113EC-7-F 特别适用于开关和放大应用，因其具有优良的电气性能和兼容性，非常适合现今对高效能、低功耗电子设备的市场需求。
二、主要参数
- 晶体管类型： PNP - 预偏压
- 集电极电流 (Ic)： 最高可达500mA，能够适应多种负载条件，确保电路在高负载下的稳定性。
- 集射极击穿电压 (Vceo)： 最大50V，使其在高电压环境下运行时依然安全可靠。
- 基极电阻 (R1) 和发射极电阻 (R2)： 均为1 kOhms，这一设计不仅有助于确定晶体管的偏置条件，同时也提高了线性工作范围。
- 直流电流增益 (hFE)： 在不同的Ic、Vce下，该晶体管具备最小33的增益，且在50mA、5V时表现最佳。这意味着在给定的基极电流下，其能够提供相对较大的集电极输出电流，适合于放大电路。
- Vce饱和压降： 该参数在2.5mA至50mA的范围内最大为300mV，确保在开关应用中的有效性，有效降低功耗和热生成。
- 最大集电极截止电流： 500nA，使其在关断状态下的漏电流非常小，提升了系统的效率和可靠性。
- 跃迁频率： 高达200MHz，使其能够满足高频率应用的需求，适合用于高频电路中，如RF放大器和开关电路。
- 最大功率： 可承受200mW的功耗，为设备的工作提供了额外的安全余量。
三、封装与安装
DDTB113EC-7-F采用SOT-23-3封装设计，具备优良的热性能和紧凑的尺寸特性，非常适合集成到各种小型电子设备中。加之其表面贴装型设计，便于实现自动化焊接，提高生产效率，简化组装流程。
四、应用领域
DDTB113EC-7-F广泛应用于：
- 消费电子： 适用于手机、平板电视、无线耳机和个人电脑中的信号放大和开关控制应用。
- 自动化设备： 在自动化控制系统中担任信号调理和功率放大的核心角色，提高系统的反应速度和控制精度。
- 汽车电子： 在车载仪表、音响系统及动力管理模块中应用，确保系统的稳定性和性能。
- 通信设备： 适合用于基站、路由器等设备，提供高效的信号处理能力。
五、总结
DDTB113EC-7-F是一款功能强大且高度可靠的PNP型晶体管，凭借其优异的电气参数和适应性广泛的应用场景，成为许多电子设计工程师的首选。其设计满足了现代电子设备对小型化和高效能的需求，助力推动电子产品的创新与发展。