型号：
DDTB122LC-7-F
品牌：DIODES(美台)
封装：SOT23
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 0.22kΩ
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.348
200+
0.225
1500+
0.196
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基极 (R1)220 Ohms
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）56 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3
DDTB122LC-7-F 产品概述
产品简介 DDTB122LC-7-F 是一款高性能的PNP型双极晶体管，专为各种电子应用设计。其采用表面贴装封装（SOT-23），具有小型化和节省空间的优势。同时，这款器件具备出色的电气特性，成为多种电路设计中的理想元件。
主要参数
类型: DDTB122LC-7-F 是一款PNP型晶体管，具有预偏压特性。PNP晶体管在电路中通常用于信号放大和开关控制，特别适合于需要负电源操作的场合。
电流和电压规格:
- 最大集电极电流 (Ic): 500mA，适合于各种负载条件。
- 集射极击穿电压 (Vce): 最大值为50V，能够承受一般电子设备中的电压波动，确保稳定运行。
功率及频率:
- 最大功率耗散: 200mW，这意味着在正常工作条件下，其能有效控制发热，避免器件损坏。
- 跃迁频率: 200MHz，适合高速开关和高频应用，带来更高的工作效率和响应速度。
增益特性:
- DC电流增益 (hFE): 在Ic为50mA、Vce为5V时，最小值为56，满足大部分放大电路的需求。
- 饱和压降: Vce的最大饱和压降为300mV，确保在开关状态时，能量损失最小化，提高系统的效率。
静态电流与截止电流:
- 集电极截止电流: 最大为500nA，确保在不工作状态下，器件几乎不消耗电流，提供更好的能效表现。
基础电阻:
- 基极电阻 (R1): 220Ω；该电阻值有助于控制基极电流，确保晶体管的稳定工作。
- 发射极电阻 (R2): 10kΩ，为电路提供适当的反馈和稳定性。
应用领域
DDTB122LC-7-F 在消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等多个领域都有广泛的应用，具体包括但不限于：
- 小信号放大: 作为音频放大器电路中的主要元件，能够有效提升微弱信号。
- 开关电路: 在开关电源和继电器驱动电路中，能够实现快速稳健的开关操作。
- 射频应用: 由于其较高的跃迁频率，适合用于射频放大器和调制解调器中。
安装与兼容性
该器件采用SOT-23封装，适合于表面贴装技术（SMT），可实现自动化贴片焊接。在设计电路时，用户需确保PCB设计符合该元件的焊接要求，以保证其性能的稳定性和可靠性。
总结
DDTB122LC-7-F 是一款优质的PNP双极晶体管，凭借其出色的电气性能、可靠的工作特性和广泛的应用场景，成为现代电子设计中的重要选择。无论是在信号放大、开关控制还是高频应用中，它都展现出极高的灵活性和可靠性。选择DDTB122LC-7-F，您将为您的电子项目带来更高的性能和效率。