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1.12
750+
0.932
1500+
0.848
3000+
0.786
产品参数
属性参数值
制造商Diodes Incorporated
包装管件
零件状态停產
晶体管类型NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）400mV @ 250mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值）10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）16 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁4MHz
工作温度-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
封装/外壳TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装TO-126
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）1.5A
电压 - 集射极击穿（最大值）450V
功率 - 最大值1.1W
产品概述：APT13003DU-E1
APT13003DU-E1是一款由Diodes Incorporated生产的高性能NPN达林顿晶体管，广泛应用于各类电子设备中。尽管该产品已停产，但它的重要参数和特性仍然适用于分析和参考。APT13003DU-E1主要用于信号放大和开关电路，能够在多种环境条件下提供可靠的性能，适合各种工业应用。
主要特性
晶体管类型：APT13003DU-E1属于NPN达林顿类型，具有较高的电流增益和输入阻抗。这使得其在驱动高功率负载时，可以有效降低基极电流的需求，从而减少外围组件的复杂度。
电气特性：
- 集电极电流（Ic）最大值：该晶体管的最大集电极电流（Ic）为1.5A，适合驱动中等功率的负载。在要求较高的功耗应用中，这一特性提供了不错的灵活性。
- 集射极突破电压（Vce（BR））：APT13003DU-E1的最大集射极击穿电压为450V，适合高压应用，在短路或过载保护中表现出色。
- 饱和压降（Vce(sat））：在不同的集电极电流条件下（如250mA和1A），最大饱和压降为400mV。较低的饱和压降有助于提升能效，降低功耗。
增益特性：
- 直流电流增益（hFE）：在影响电流和电压的条件下，APT13003DU-E1具有最小直流电流增益（hFE）为16（在500mA和2V）；这一高增益特性使得APT13003DU-E1在放大和开关电路中表现出色。
- 接收频率：其频率跃迁特性高达4MHz，能够满足大部分信号处理需求，尤其是在高频应用中维持稳定操作。
温度范围：APT13003DU-E1的工作温度范围为-65°C至150°C（TJ），在各种极端环境条件下均能稳定工作，适合工业、汽车和航空等特殊领域。
封装与安装类型：该产品采用TO-126封装与通孔安装类型，便于在电路板上进行安装和集成，保证良好的热管理性能和PCB布局灵活性。TO-126封装的设计也有助于提升散热效率，增强产品的可靠性。
应用场景
APT13003DU-E1可广泛应用于多个领域，尤其是在需要高电流放大和高效率开关控制的场合：
- 功率放大器：能够用于音频功率放大器电路，确保高输出功率且避免失真。
- 电动机驱动：适用于直流电动机的控制电路，提供稳定的电流输出。
- 开关电源：在高频开关电源设计中，APT13003DU-E1能够作为开关元件，提升电源转换效率。
- 自动化控制系统：在工业自动化中，该晶体管可以用于控制阀门、继电器等执行器。
结论
虽然APT13003DU-E1已停产，但其丰富的电气特性和可靠的性能使其在各类应用中仍具有一定的参考价值。设计工程师在选择替代是否时，可借鉴其特性并选用符合应用需求的新型器件。总之，APT13003DU-E1是一款性能均衡、应用广泛的NPN达林顿晶体管，适合在多个行业及领域中使用。