描述：数字晶体管 200MW 2.2K
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产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)2.2 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）39 @ 50mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3
产品概述: DDTB123EC-7-F
1. 概述
DDTB123EC-7-F 是美台公司的高性能 PNP 晶体管，采用表面贴装型(SMD)封装，特别适用于紧凑的电路设计。该元器件具备良好的电流放大特性和稳定的工作性能，广泛应用于开关电路、信号处理和音频放大等领域。
2. 基本特性
- 晶体管类型: DDTB123EC-7-F 为 PNP 类型，支持预偏压工作，适合一些需要偏置的应用。
- 最大集电极电流: 该晶体管能够在最大500mA的条件下稳定工作，适合需要较大电流驱动的电路，例如功率放大和马达驱动电路。
- 集射极击穿电压(Vce): DDTB123EC-7-F 的最大集射极击穿电压为50V，使其在高电压应用中表现出色，同时可以有效保护后级元器件。
- 直流电流增益(hFE): 在50mA和5V的测试条件下，该器件的直流电流增益(hFE)的最小值为39，显示出其良好的放大特性，使得它在小信号放大中尤其具有优势。
3. 电性能参数
- 饱和压降: DDTB123EC-7-F 在2.5mA基极电流和50mA集电极电流条件下的最大Vce饱和压降为300mV。这一特性确保在电流切换过程中，器件能保持较低的功耗和热量产生，从而提高整体能效。
- 截止电流: 该器件的最大集电极截止电流为500nA，这表明其极佳的关断特性，降低了器件的功耗，适合需要低静态功耗的应用场合。
- 频率响应: DDTB123EC-7-F具有200MHz的跃迁频率，使其能够在高频应用中稳定工作，适合GHz级信号的处理。
4. 热性能
- 功率耗散: 此晶体管的最大功率为200mW，这意味着在适当的散热条件下，该器件可以承受较高的功率负载，为电路的稳定运行提供了保障。
5. 物理封装
- 封装形式: DDTB123EC-7-F 采用 SOT-23 封装，这是一种广泛使用的表面贴装封装类型，其小巧的尺寸使得它特别适合于空间有限的电子设计。
6. 应用领域
由于其卓越的性能，DDTB123EC-7-F 可以应用于多种领域，包括：
- 音频放大器: 在音频设备中可以被用作信号放大器，以提高信号质量。
- 开关电源: 在开关电源和DC-DC转换器中作为开关器件，以实现高效的电能转化。
- 信号处理: 在各种信号处理电路中，作为信号放大和切换的关键组件。
7. 总结
DDTB123EC-7-F 以其优异的电气性能和小巧的封装形式，成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在品质、性能还是在可靠性方面，它都能够满足各种应用的需求。凭借其灵活的应用范围，这款 PNP 晶体管将继续在信息技术、通信设备及工业控制等多个领域发挥重要作用。