描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces
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产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）800mA
电压 - 集射极击穿（最大值）450V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）500mV @ 40mA，200mA
电流 - 集电极截止（最大值）10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）6 @ 300mA，10V
功率 - 最大值800mW
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
封装/外壳TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
供应商器件封装TO-92
APT27HZTR-G1 产品概述
APT27HZTR-G1 是一款高性能的 NPN 晶体管，广泛应用于各类电子电路中，特别适合用于开关和放大电路中。这款晶体管由美台 DIODES 公司生产，其设计和规格能够满足多种高要求的应用场景，尤其是在工业和消费类电子产品中。以下是对 APT27HZTR-G1 的详细介绍。
1. 基本参数和应用
APT27HZTR-G1 具有以下关键参数：
- 晶体管类型: NPN 晶体管是最常用的类型之一，适合用于电流放大和开关操作。
- 最大集电极电流 (Ic): 800mA，适合驱动各种负载，包括小型电机、继电器及 LED。
- 集射极击穿电压 (Vce): 最大值为 450V，提供了良好的电压承受能力，使其在高压应用中稳定运行。
- Vce 饱和压降: 在集电极电流为 40mA 和 200mA 时，最大饱和压降为 500mV，这对高效率电路设计非常重要。
- 集电极截止电流: 低至 10µA，这意味着在关闭状态时能有效抑制漏电流。
- DC 电流增益 (hFE): 不同于 Ic 和 Vce，最小值为 6 以及 10V 输出下的 300mA 电流，这确保了放大器电路的增益性能。
2. 功率与温度承受能力
APT27HZTR-G1 的最大功率可达 800mW，这使其能够在多种功率应用中表现出色。产品的工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），使其非常适合在温度变化较大的工业和汽车应用环境中工作。此外，广泛的工作温度范围也增加了其在消费电子产品中应用的灵活性。
3. 封装与安装
APT27HZTR-G1 采用通孔封装，规格为 TO-92，这种封装形式有助于快速而简单地在 PCB 板上安装。TO-92 封装的优点在于体积小，散热性能良好，适合高密度封装的电路设计。同时，它的成形引线设计使得电路设计过程中更具灵活性。
4. 适用领域
APT27HZTR-G1 广泛应用于：
- 电源管理： 适用于电源开关和调节电路，能有效控制电源输出。
- 信号放大： 可用于音频设备和 RF通信中，放大微弱信号，提高传输质量。
- 开关电路： 在家电控制、灯光控制及马达驱动等应用中，作为开关元件，非常可靠。
- 汽车电子： 适合于汽车控制器，用于高温高振动环境下的应用。
5. 结论
APT27HZTR-G1 是一款性能可靠、适用性强的 NPN 晶体管，凭借其优秀的电气性能、宽广的工作温度范围及理想的封装设计，适合于多种电子应用。在工业、消费电子及汽车电子等领域中，APT27HZTR-G1 将为设计师提供优秀的解决方案，满足不同场景及需求。无论是在高压、高功率应用中，还是在需要高电流增益的电路设计中，APT27HZTR-G1 都能够出色地完成任务，为电路的稳定性和可靠性提供保障。