型号:

DMN3300U-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:23+
包装:编带
重量:0.017g
其他:
DMN3300U-7 产品实物图片
DMN3300U-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 700mW 30V 2A 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
1985
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.353
3000+
0.33
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)150mΩ@4.5V,4.5A
功率(Pd)700mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)193pF@10V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMN3300U-7 产品概述

1. 概述及应用领域

DMN3300U-7 是由 Diodes Incorporated 制造的一款 N 通道 MOSFET(场效应管),采用 SOT-23 表面贴装封装。这款器件的设计满足了多种应用场景的需求,特别是在低功耗和小体积的电子设备中。其在开关电源、DC-DC 转换器、灯光调光以及电动机驱动等应用中表现出色。

2. 重要规格

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 零件状态: 有源
  • FET 类型: N 通道
  • 封装类型: SOT-23(TO-236-3, SC-59)

3. 电子特性

  • 最大连续漏极电流 (Id): 2A @ 25°C
  • 最大漏源电压 (Vdss): 30V
  • 导通电阻 (Rds(on)): 最大 150毫欧 @ 4.5A,4.5V。该特性确保了在高电流条件下的低功耗损耗,为设计提供了更高的效率。
  • 驱动电压 (Vgs): 1.5V 和 4.5V,具备较低的阈值电压适配广泛的驱动电路。
  • 最大功率耗散: 700mW,确保在高温环境下的稳定运行。

4. 电气参数

  • 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 1V @ 250µA,这一特性使得 DMN3300U-7 在低电压条件下也能正常启用。
  • 输入电容 (Ciss): 最大值 193pF @ 10V,合理的电容值助于提升开关速度,有利于高速开关应用。
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C,适用于极端环境下的应用场景,包括汽车电子、工业自动化及航空航天设备等。

5. 设计优势

DMN3300U-7 的设计理念旨在提供高效能与高可靠性的集成解决方案,适合紧凑型电路设计。小巧的SOT-23封装有助于降低PCB面积,满足高密度组装的要求。其高工作温度范围和改良的电气参数不仅提升了设备的耐久性,还确保了在严苛环境下的稳定运行。

6. 应用实例

  • 电源管理: 在各种电源管理应用中,如同步整流和电源分配网络,DMN3300U-7 可以用作开关元件。
  • 信号开关: 在信号处理线路中,该 MOSFET 可应用于多路开关,以达到信号路由或选择。
  • 电动机驱动: 特别适合小功率直流电动机的驱动,提供快速的启动和关闭响应。

结论

DMN3300U-7 是一款具有出色电气性能的小型 N 通道 MOSFET,凭借其高达 2A 的连续漏电流以及 30V 的漏源电压,广泛适用于多种电子应用。其具备的优异的导通电阻和工作温度范围,确保了其在高性能需求的应用场合中的优越表现。无论是在低功率设计还是复杂的电源管理任务中,DMN3300U-7 都是理想的选择。