型号：
DMG4932LSD-13
品牌：DIODES(美台)
封装：SO-8
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.12
100+
1.64
1250+
1.42
产品参数
属性参数值
FET 类型2 N-通道（双）
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)9.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）15 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）42nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1932pF @ 15V
功率 - 最大值1.19W
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装8-SO
DMG4932LSD-13 产品概述
DMG4932LSD-13 是由知名电子元器件制造商 DIODES（美台）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），其设计主要应用于低功耗、高效率的电源管理和信号开关等场合。这款器件因其卓越的导电性能和宽广的工作温度范围，在工业控制、汽车电子、消费电子等领域得到了广泛应用。
主要特点
FET 类型和功能
- DMG4932LSD-13 是一款双 N 频道 MOSFET，适用于逻辑电平门控制，能够在较低的栅极电压下驱动。这种设计使其能够与低电压数字电路兼容，极大地简化了系统设计难度。
漏源电压（Vdss）
- 该器件的漏源电压高达30V，使其能够在各种中等电压环境中稳定工作，适用于电源转换、马达驱动等高电压场合。
连续漏极电流（Id）
- 在25°C下，DMG4932LSD-13的连续漏极电流可以达到9.5A，这一特性确保了其能处理高负载条件下的电流需求，非常适合高功率应用。
导通电阻与热性能
- 该MOSFET在9A时的最大导通电阻为15毫欧，优异的导电性能可降低功耗并减少发热，这对提升整体电路效率有显著作用。同时，其最大功率额定值为1.19W，适用于高效能的功率管理。
栅极阈值电压（Vgs(th)）
- DMG4932LSD-13 在250µA下的最大栅极阈值电压为2.4V，可以保证在较低电压下实现开关控制，增加了在逻辑电平驱动下的应用灵活性。
栅极电荷（Qg）
- 在10V的栅源电压下，其栅极电荷最大值为42nC，表明该器件在切换时的响应速度较快，适合用于高频开关应用。
输入电容（Ciss）
- 在15V下，输入电容最大为1932pF，这使得器件在开关时能有效减少驱动功耗，确保快速响应。
工作温度范围
- DMG4932LSD-13支持的工作温度范围为-55°C至150°C，使其能够在苛刻的环境下正常工作，适用于例如工业自动化和汽车电子等需要高可靠性的场合。
封装和安装
- 该器件采用8-SOIC封装（0.154"，3.90mm宽），方便在表面贴装应用中进行安装，并优化了PCB布局设计。
应用领域
DMG4932LSD-13 适用的应用场景极为广泛。可用于：
- 电源管理：在DC-DC转换器、电池管理系统等高效电源模块中，操作高电流和高电压条件。
- 汽车电子：用于驱动各类自动化设备和控制系统，提高汽车电子的安全性和可靠性。
- 消费电子：在智能手机、平板电脑和家电等产品中，提供高效的电源控制解决方案。
- 工业自动化：对高温、高压和高负载的设备进行控制和保护。
结论
DMG4932LSD-13是一款高性能的N通道MOSFET，凭借其较高的Vdss、出色的Id及低导通电阻，能够有效满足高功率电源管理和逻辑控制的需求。同时，其广泛的应用温度范围和紧凑的SO-8封装设计，使其在各种严苛工作环境中均能稳定工作，增强了其市场竞争力。无论是在消费电子还是工业应用中，DMG4932LSD-13都展现出卓越的性能表现，是电子工程师值得信赖的选择。