型号：
DDTD114GU-7-F
品牌：DIODES(美台)
封装：SOT323
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：数字晶体管 200MW 10K
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.445
200+
0.287
1500+
0.25
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）500mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V
电阻器 - 发射极 (R2)10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）56 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）300mV @ 2.5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA（ICBO）
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-70，SOT-323
供应商器件封装SOT-323
DDTD114GU-7-F 产品概述
一、产品简介
DTD114GU-7-F 是一款高性能的 NPN 型晶体管，采用表面贴装型 SOT-323 封装，专为各种低功耗电子应用设计。该器件以其优良的电气性能和可靠的工作参数，广泛应用于开关电路、信号放大和调制解调器等多种电子设备中。
二、基本参数和性能
晶体管类型：NPN - 预偏压
- DTD114GU-7-F 作为 NPN 晶体管，具有良好的电流放大能力，适用于各种电子电路中。
电流 - 集电极 (Ic)：
- 最大输出电流为 500mA，适合需要中等电流驱动的应用场景。
电压 - 集射极击穿（Vceo）：
- 最大额定电压为 50V，确保该器件能够在相对高电压的条件下稳定工作。
电流 - 集电极截止（ICBO）：
- 在集电极-发射极无信号条件下，集电极漏电流最大仅为 500nA，展示出良好的截止特性，适合低功耗应用。
电阻器 - 发射极 (R2)：
- 发射极电阻为 10 kOhms，有助于稳定工作点并提高线性放大性能。
DC 电流增益 (hFE)：
- 在 5mA 的基极电流和 5V 的集电极电压下，最小增益为 56，能够满足各种增益需求。
饱和压降 (Vce(sat))：
- 在基极电流 2.5mA 和集电极电流 50mA 时，最大饱和压降为 300mV。较低的饱和压降有助于提高开关效率，降低功耗。
频率 - 跃迁：
- 最大工作频率可达到 200MHz，适合用于高速开关和高频放大应用。
功率 - 最大值：
- 该晶体管的最大功耗为 200mW，能够满足大部分低功耗电路的要求。
三、应用领域
DTD114GU-7-F 的特性使其在以下领域中表现出色：
- 音频放大器：由于其高增益特性，该晶体管可用于音频信号的放大。
- 射频应用：在高频率工作条件下，提供良好的信号放大效果。
- 开关电路：适用于驱动小功率负载的开关电路，实现高效控制。
- 传感器电路：在传感器接口中，常用于信号处理和放大。
- 通讯设备：用于处理调制解调信号，适合各种低功耗通讯设备。
四、安装与兼容性
DTD114GU-7-F 以 SOT-323 封装形式提供，适合自动化贴装工艺，能够轻松集成到现代电路板设计中。在设计时，应考虑其热管理和散热需求，以确保最佳性能和可靠性。
五、总结
总的来说，DTD114GU-7-F 是一款高效能、低功耗的 NPN 晶体管，适用于要求高电流增益和良好频率响应的多种电子应用。凭借其小巧的 SOT-323 封装和良好的电气性能，它能够为设计工程师提供灵活性以及可靠的解决方案。在优化电路设计时，选择 DDTD114GU-7-F 可显著提升产品性能与效率，是各种电子设备开发的理想选择。