型号:

DDTB143TC-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
-
DDTB143TC-7-F 产品实物图片
DDTB143TC-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200MW 4.7K
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商品单价
梯度内地(含税)
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200+
0.225
1500+
0.196
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V
电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)
频率 - 跃迁200MHz
功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

产品概述:DDTB143TC-7-F

DDTB143TC-7-F是一款高性能的PNP型晶体管,专为各种电子应用而设计。这款晶体管在功率和频率方面表现出色,广泛应用于放大器、开关电路以及其他相关的电子设备中。其优越的电气特性和小巧的外形使其成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。

基本参数与特性

  1. 类型与结构: DDTB143TC-7-F为PNP型预偏压晶体管。这种类型的晶体管在电流流动和开关特性上占有优势,使其在各种电路设计中提供灵活性和高效性。

  2. 电流与电压规格

    • 集电极电流 (Ic):最大值为500mA,确保在大多数应用场景下足够的输出能力。
    • 集射极击穿电压 (Vce): 最大值为50V,适用于中等电压要求的电路。
    • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为500nA,此特性对低功耗应用至关重要。
  3. 增益特性

    • DDTB143TC-7-F在不同的集电极电流 (Ic) 和集电极-基极电压 (Vce) 下,具有出色的直流电流增益 (hFE)。在5mA的基极电流和5V的电压条件下,最小增益可超过100,适合多种增益需求的应用场景。
  4. 饱和压降

    • 在2.5mA的基极电流和50mA的集电极电流下,Vce饱和压降不超过300mV。这一特性大大增加了电路运行的效率,特别是在开关应用中。
  5. 频率响应

    • 最大跃迁频率为200MHz,使得DDTB143TC-7-F在高频应用中表现优异,如射频和数字信号处理。
  6. 功率处理

    • 最大功率限制为200mW,保证了晶体管在较高电流和电压情况下可靠运行。

封装与安装类型

DDTB143TC-7-F采用SOT-23表面贴装型封装,这一设计不仅节省电路板空间,还便于自动化贴装,提高生产效率。SOT-23封装的尺寸使其适合于便携式电子设备及空间有限的应用中,为设计师提供了更大的灵活性。

应用场景

DDTB143TC-7-F适用于各种电子应用,包括但不限于:

  • 信号放大:由于其较高的增益特性,适合用于音频、视频信号的放大。
  • 开关电路:在控制和驱动电路中作为开关使用,可以用于小型电机驱动、电源管理等。
  • 射频应用:凭借高频性能,适合作为射频放大器使用,在移动通信和无线电设备中均可见其身影。

优势总结

DDTB143TC-7-F不仅具备高电流和电压容忍度,还拥有优越的增益和频率响应,为各种电子设备提供了强大而可靠的信号处理能力。同时,紧凑的SOT-23封装极大地方便了现代电子设备的设计与生产。它的广泛应用前景以及卓越的性能特点,使得DDTB143TC-7-F成为电气工程师、设计师和制造商在选择PNP晶体管时的重要选择。

总之,DDTB143TC-7-F作为一款功能强大的PNP型晶体管,凭借其优秀的性能指标,适应性广泛的应用场合,是现代电子产品中不可或缺的重要元件之一。无论是在高频信号放大还是电源开关管理领域,它都能提供出色的解决方案,助力设计师实现更高效、更创新的电子产品。