型号:

DMP2110U-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DMP2110U-13 产品实物图片
DMP2110U-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 800mW 20V 3.5A 1个P沟道 SOT-23-3
库存数量
库存:
500
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:10000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.462
100+
0.319
500+
0.289
2500+
0.268
5000+
0.251
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)80mΩ@4.5V,2.8A
功率(Pd)800mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)6nC
输入电容(Ciss@Vds)443pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)47pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

DMP2110U-13 产品概述

一、产品简介

DMP2110U-13 是一款由知名半导体制造商 DIODES(美台)出品的 P 型通道 MOSFET,封装类型为 SOT-23(TO-236-3),适用于各种电子电路设计,特别是在需要低导通电阻及高功率管理的应用场景中。该元器件的额定漏源电压为20V,并且提供了高达3.5A的连续漏电流能力,适合在宽广的温度范围内可靠工作。

二、关键特性

  1. 电气参数:

    • 漏源电压(Vdss): 最大20V,使其适用于低压电源管理和开关应用。
    • 连续漏极电流(Id): 最大3.5A (在25°C环境条件下),可满足大多数低功耗开关电路的需求。
    • 导通电阻(Rds On): 在4.5V Vgs下,最大值为80毫欧(电流为2.8A),有助于降低功耗并提高电路效率。
  2. 工作阈值与控制特性:

    • Vgs(th): 最大阈值电压为1V @ 250µA,显示了该元器件的高敏感性,便于在较低的栅极电压下开启。
    • 输入电容(Ciss): 最大值为443pF @ 10V,提供了良好的频率特性,有助于在高频应用中提高开关效率。
  3. 栅极电荷(Qg): 最大值为6nC @ 4.5V,低栅极电荷意味着更快的开关速度,适合用于高速开关应用。

  4. 功率耗散与热管理:

    • 最大功率耗散为800mW (Ta),有效帮助设计无风扇或被动冷却的电路,适应环境温度从-55°C到150°C的严苛条件。
  5. 安装与封装:

    • 使用SOT-23封装,具有小型化和表面贴装的优势,适合于现代微型电子产品的应用。

三、应用场景

DMP2110U-13 适用于多种应用领域,包括但不限于:

  1. 电源管理: 用于DC-DC转换器、线性稳压器和电池管理系统中,提供有效的功率控制和管理。
  2. 电机驱动: 在小型电机控制、电动工具和电工设备中,该MOSFET能够提供高效的开关控制。
  3. 开关电路: 由于其高速开关特性,该元器件适合用于各种信号开关及数据开关应用。
  4. 消费电子: 适用于移动设备、笔记本电脑和其他便携式电子产品的低压开关控制。

四、总结

DMP2110U-13 MOSFET凭借其优越的电气性能和广泛的应用适应性,是低电压、小型化电子产品的理想选择。其可靠的阈值电压、低导通电阻及良好的热特性,确保了在多种电子环境下的稳定运行。选择DMP2110U-13将为设计师提供灵活、高效的解决方案,应对当前电子行业日益增长的性能和功率管理需求。