描述：场效应管(MOSFET) 840mW 20V 2.4A 1个P沟道 SOT-23-3
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产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160mΩ@1A,4.5V
功率(Pd)1.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)476pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)45pF
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
DMG2301LK-13 产品概述
一、产品概述
DMG2301LK-13 是一款由知名电子元器件供应商 DIODES（美台）生产的 P 型通道 MOSFET（场效应管）。该器件采用 SOT-23（TO-236-3，SC-59）表面贴装型封装，具有出色的电气性能和抗环境能力，广泛适用于低功耗电子设备及各种电源管理应用。
二、核心参数
DMG2301LK-13 的主要规格参数如下：
- 类型: P 通道 MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 最大连续漏极电流（Id）: 2.4A（在 25°C 时）
- 驱动电压: 最小 1.8V，最大 4.5V，适应不同应用需求
- 导通电阻（Rds On）: 在 1A 和 4.5V 条件下，最大为 160 毫欧，确保低导通损耗
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大 1V @ 250µA，有助于器件在低压驱动下可靠工作
- 栅极电荷（Qg）: 最大值为 3.4nC @ 10V，表明其在开关时的高效能
- 栅极-源极电压（Vgs）: 最大 ±12V，提供更大的驱动灵活性
- 输入电容（Ciss）: 最大值为 156pF @ 6V，降低了开关时的能耗
- 功率耗散（最大值）: 840mW（在 25°C 环境下）
- 工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C，适用于严苛环境
- 封装类型: SOT-23，适合密集布置的印刷电路板（PCB）
三、应用领域
DMG2301LK-13 的设计使其非常适合多个应用场景：
电源管理: 该 MOSFET 的低导通电阻使其在电源开关中表现优异，能够有效降低功耗，延长电池寿命，广泛应用于便携式电子产品中。
负载开关: 作为负载开关控制器，DMG2301LK-13 能够快捷地打开和关闭负载，须要简单且高效的开关控制的场合。
高效电路: 由于其高电流承载能力和低导通损耗，该器件在DC-DC转换器、逆变器等高效电路中表现突出。
消费电子及工业控制: 由于具有宽广的工作温度范围和高可靠性，DMG2301LK-13 适用于消费电子产品（如智能手机、平板电脑）及工业自动化设备。
四、结论
DMG2301LK-13 是一款性能优越、适应性广泛的 P 型通道 MOSFET。凭借其高效的电流能力、低导通电阻以及良好的热管理能力，能够满足日益增长的电子设备功率和性能需求。其宽工作温度范围和出色的封装设计，使其在各类应用中显得尤为重要。无论是在电源管理、负载开关，还是在消费电子及工业控制领域，DMG2301LK-13 都展现出其强大的应用潜力，是设计师和工程师值得考虑的一款优秀器件。