型号:

DMC3025LSDQ-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
DMC3025LSDQ-13 产品实物图片
DMC3025LSDQ-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 6.5A;4.2A 1个N沟道+1个P沟道 SO-8
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.39
2500+
1.32
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6.5A;4.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)20mΩ@7.4A,10V;45mΩ@5.2A,10V
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)4.6nC@4.5V;5.1nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)501pF@15V;590pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMC3025LSDQ-13 产品概述

概述

DMC3025LSDQ-13 是一种高性能的场效应管(MOSFET),由美台电子(DIODES)制造。它结合了一个N沟道与一个P沟道 MOSFET,封装采用8-SOIC(SO-8)形式,适合于表面贴装组件使用。该产品的设计旨在满足对高效率和可靠性的要求,特别适合在功率管理、开关电源转换和电机驱动等应用场景下使用。

主要特点

  1. 电气参数:

    • 漏源电压(Vdss): 最大可达30V,使其在多种应用场景中具有良好的适用性。
    • 连续漏极电流(Id): 在25℃环境下,N沟道的连续漏极电流高达6.5A,而P沟道为4.2A,适合多种负载需求。
    • 导通电阻: 在7.4A、10V的条件下,最大导通电阻为20毫欧,保证在高电流情况下有效降低功耗,从而提高效率。
    • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大2V @ 250µA,符合较低电平驱动的要求。
    • 栅极电荷(Qg): 在4.5V下,最大栅极电荷为4.6nC和5.1nC,提供快速开关特性,降低开关损耗。
  2. 电容特性:

    • 输入电容(Ciss): 在不同的Vds条件下,最大输入电容为501pF至590pF,这为其在高频应用中的表现提供了支持。
  3. 功耗特性:

    • 最大功率: 在环境温度 Ta 下最大功率为1.2W,确保在热管理良好的条件下运行。
  4. 工作环境:

    • 工作温度范围: 掺杂了宽广的工作温度范围,从-55°C到150°C,适合于极端环境及高温应用。
  5. 封装特性:

    • SO-8封装的设计不仅有助于简化PCB布局,还可以有效降低热阻,提高散热效率。SO-8格式的体积小巧且易于自动化焊接,提升了生产效率。

应用领域

DMC3025LSDQ-13 的设计使其广泛应用于:

  • 电源管理: 适用于DC-DC转换器、功率开关等应用,能够有效地控制能量的传输。
  • 电机控制: 在电机驱动电路中作为开关元件,确保高效率的控制与调节。
  • 消费电子: 将其应用于各种消费电子产品,如智能手机、平板电脑,提供高效的能源管理。
  • 汽车电子: 适合放置于汽车电子控制模块中,因其出色的温度稳定性以及高电流承载能力。

总结

DMC3025LSDQ-13 是一款综合性能优良的MOSFET,设计用于现代电子应用的高效能需求,尤其在功率管理和驱动控制方面展现出卓越的特性。凭借其小型化表面贴装封装以及宽广的工作温度范围,DMC3025LSDQ-13 将为客户提供灵活且可靠的解决方案,满足日益增长的高效能电子产品市场需求。