型号:

DMNH6021SK3Q-13

品牌:DIODES(美台)
封装:TO252
批次:-
包装:编带
重量:0.373g
其他:
DMNH6021SK3Q-13 产品实物图片
DMNH6021SK3Q-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.1W 60V 50A 1个N沟道 TO-252
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)23mΩ@10V,12A
功率(Pd)2.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)20.1nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.143nF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

DMNH6021SK3Q-13 产品概述

一、产品简介

DMNH6021SK3Q-13 是一款由 Diodes Incorporated 生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET),专为汽车应用设计,并符合 AEC-Q101 标准。其优异的电气特性和宽广的工作温度范围,使其在各种苛刻环境下均能稳定运行,特别适合用于汽车电子、工业控制以及高效能电源管理等领域。

二、基本参数

  • 制造商: Diodes Incorporated
  • 系列: Automotive, AEC-Q101
  • 零件状态: 有源
  • FET 类型: N 通道
  • 技术: MOSFET(金属氧化物)

三、电气特性

  1. 电流承载能力: 在 25°C 环境下,DMNH6021SK3Q-13 能够承受高达 50A 的连续漏极电流 (Id),使其在大功率设备中表现出色。

  2. 导通电阻: 在不同的漏极电流 (Id) 和栅极源极电压 (Vgs) 条件下,最大导通电阻 (Rds(on)) 为 23 毫欧(在 12A 和 10V 时)。这意味着在通电状态下,能有效减少功率损耗,提高能效。

  3. 阈值电压: 最大阈值电压 (Vgs(th)) 为 3V @ 250µA,确保在较低的驱动电压下就可以开始导通,提升了设备的整体反应灵敏度。

  4. 输入电容和栅极电荷: 在 25V 时,输入电容 (Ciss) 最大值为 1143pF,而在 10V 时,栅极电荷 (Qg) 最大值为 20.1nC。这些参数表明,该 MOSFET 能够快速响应,适合需要快速开关操作的应用。

  5. 最大工作电压和功率: 最大漏源电压 (Vdss) 为 60V,最大功率耗散为 2.1W(在安装温度 Ta 下)。这使其在多个电气级别的应用中表现稳定。

四、温度和封装特性

DMNH6021SK3Q-13 具有广泛的工作温度范围:-55°C 至 175°C,确保其在极端环境下的可靠性和持久性。此外,采用 TO-252-4L 表面贴装封装,具有良好的热管理性能和较小的占板面积,方便其集成至各种电路板设计当中。

五、应用领域

由于其高耐压、高电流以及广泛的工作温度范围,DMNH6021SK3Q-13 特别适合于以下应用:

  • 汽车电子系统: 如电动机驱动器、电源转换器等。
  • 工业领域: 可用于电源管理、马达控制、电动车辆充电系统等。
  • 消费电子: 在便携式设备和供电管理中也能发挥其高效能的优势。

六、总结

总的来说,DMNH6021SK3Q-13 是市场上一个非常优秀的 N 通道 MOSFET,其在汽车和工业应用中的表现令人信赖,尤其是在高温和高电流条件下。凭借其出色的电气特性和强大的兼容性,DMNH6021SK3Q-13 将为的设计者们在实现高效、可靠电源解决方案时提供强有力的支持。