型号：
IPN60R600PFD7SATMA1
品牌：Infineon(英飞凌)
封装：SOT-223
批次：-
包装：编带
重量：-
其他：
-
描述：场效应管(MOSFET) 7W 600V 6A 1个N沟道 SOT-223-4
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
10.16
100+
8.83
750+
8.02
1500+
7.72
3000+
7.46
产品参数
属性参数值
制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ PFD7
包装卷带（TR）
零件状态在售
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）600 毫欧 @ 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4.5V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）8.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）344 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）7W（Tc）
工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-SOT223-4
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
产品概述：IPN60R600PFD7SATMA1
1. 基本信息
IPN60R600PFD7SATMA1是由英飞凌技术公司（Infineon Technologies）生产的一款高性能N通道MOSFET，隶属于其CoolMOS™ PFD7系列。该系列MOSFET以其优越的动态特性和高能效而受到广泛关注，广泛应用于电源管理和电动机控制等领域。
2. 技术规格
- 类型：N通道场效应管（MOSFET）
- 漏源电压（Vdss）：600V，适合高压应用
- 持续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下可达到6A，确保高额能量转换能力
- 导通电阻（Rds(on)）：最大值为600毫欧（在1.7A和10V的条件下），提供优良的导电性能，降低能量损耗
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大为4.5V @ 80µA，保证MOSFET在适当电压下快速开启
- 栅极电荷（Qg）：最大值为8.5nC @ 10V，确保快速开关响应
- 输入电容（Ciss）：最大344pF @ 400V，为电路提供良好的稳定性
- 功率耗散：最大7W，确保MOSFET在高功率应用中正常工作
- 工作温度范围：-40°C到150°C，适应恶劣的工作环境
3. 封装和安装
该MOSFET采用了PG-SOT223-4封装，这种表面贴装型封装能够有效节省空间，并方便系统集成。设备可以利用TO-261-4（TO-261AA）规格安装，适应不同的电路设计要求。
4. 应用领域
由于IPN60R600PFD7SATMA1的高耐压、优秀的热管理特性以及出色的开关性能，它适合以下应用场景：
- 电源供应：在开关电源（SMPS）中用作主动开关元件，提高能源效率，降低开关损耗。
- 电动机驱动：在电机控制中提供高效的开关操作，支持无刷直流电动机（BLDC）等类型的电机。
- DC-DC转换器：在降压、升压转换器中，提升整体转换效率，优化系统布局。
5. 优势与特点
IPN60R600PFD7SATMA1基于CoolMOS技术，具有以下优势：
- 优良的能效：在各种工作条件下保持较低的导通电阻，有助于减少功耗，提高整体系统效能。
- 高可靠性：支持的温度范围广，适合在多种环境中可靠工作。
- 快速开关能力：较低的栅极电荷确保MOSFET可以快速开启和关闭，提高了电路的工作响应速度。
6. 结论
IPN60R600PFD7SATMA1是一款理想的N通道MOSFET，凭借其600V的高耐压、6A的持续漏极电流和卓越的开关特性，成为了现代电源管理和电动机控制应用的最佳选择。无论在高能效的电源转换，还是在复杂负载的驱动中，该MOSFET均能提供稳定可靠的性能，是电子设计工程师的首选组件。