SUD50P06-15L-E3

产品概述：SUD50P06-15L-E3

SUD50P06-15L-E3是一款高性能P沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）生产。该MOSFET的主要特点是其优越的电气性能和宽广的应用范围，适用于各类电源管理和开关电路。

技术规格

1. 基础参数

   • FET 类型：P通道
   • 技术：MOSFET
   • 漏源电压（Vdss）：60V，确保其在高压环境下的稳定性和可靠性。
   • 最大连续漏极电流（Id）：50A（Tc），即在合适的散热条件下，能够处理的电流能力。
   • 驱动电压：支持多种驱动电压，最大Rds(on) 达到15毫欧 @ 17A，10V下表现优越，具备良好的热性能。

2. 电气特性

   • 导通电阻：在不同的漏极电流和栅极电压下，最大导通电阻为15毫欧(17A, 10V)，表明器件在开关状态下具有非常低的功耗，有助于提升整体电路的效率。
   • 阈值电压（Vgs(th)）：最大值达到3V @ 250µA，确保其能够在较低的栅极电压下启动，为应用设计提供了更大的灵活性。
   • 栅极电荷（Qg）：最大值165nC @ 10V，高频率下的开关特性优良，适合高效转换电源及其它快速开关应用。

3. 电容特性

   • 输入电容（Ciss）：最大值为4950pF @ 25V，算法展示出该MOSFET在高频工作模式下能够保持良好的动态响应性。

4. 功率和工作温度

   • 功率耗散：可承受的最大功耗为3W（环境温度条件），在高温条件下（Tc）可达到136W，且工作温度范围广泛，从-55°C到175°C（TJ），适合于极端环境下的应用。

5. 封装和安装

   • 封装类型：采用TO-252（D-Pak）封装，表面贴装设计，便于快速的自动化焊接和集成。
   • 封装特性：TO-252-3封装设计提供了出色的散热性能和空间利用效率，适合高电流应用。

应用场景

SUD50P06-15L-E3的优秀特性使其适用于广泛的应用，如：

• DC-DC转换器：由于具有较低的导通电阻和较大的电流处理能力，适合高效的电源转换。
• 功率放大器：在通信设备中作为功率开关，有助于提升设备的工作效率。
• 马达驱动电路：可用于马达控制，提供平稳的电流输出。
• 负载开关：在各种电子设备中作为开关元件，能够有效控制高电流负载，提高设备的安全性与效率。

总结

SUD50P06-15L-E3是一款高效、可靠且性能卓越的P沟道MOSFET，特别适合需求高电流、低导通电阻的应用场合。凭借其广泛的工作温度范围、优秀的电气特性及紧凑的封装设计，适合多种高性能电子产品的设计要求。选择SUD50P06-15L-E3，能为您的电路设计提供强大的后盾，助力设备的良好运作与高效性能。