ZVN4525GTA

ZVN4525GTA 产品概述

一、基本信息

ZVN4525GTA 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），其最大漏源电压（Vdss）为 250V，具有高达 310mA 的连续漏极电流（Id），采用 SOT-223 表面贴装封装，适用于各种电子应用。这款 MOSFET 由 DIODES（美台）公司生产，以其优异的开关性能和导通特性，广泛应用于电源管理、开关电路及信号处理等领域。

二、技术参数

1. FET 类型: N 通道 MOSFET
2. 漏源电压 (Vdss): 250V
3. 连续漏极电流 (Id): 310mA（@ 25°C）
4. 驱动电压: 2.5V (最小 Rds On)，10V (最大 Rds On)
5. 导通电阻 (Rds On): 在 10V，500mA 下，最大值为 8.5Ω
6. 栅到源阈值电压 (Vgs(th)): @ 1mA 最大值为 1.8V
7. 栅极电荷 (Qg): 最大值为 3.65nC @ 10V
8. 输入电容 (Ciss): 最大值为 72pF @ 25V
9. 功率耗散: 最大值为 2W（@ Ta）
10. 工作温度范围: -55°C 至 150°C（TJ）
11. 封装类型: SOT-223
12. 安装类型: 表面贴装型
13. 封装/外壳: TO-261-4, TO-261AA

三、应用领域

ZVN4525GTA 的性能特征使其能够在许多高压和高频电路中表现出色。主要应用包括：

1. 开关电源: 在 DC-DC 转换器中作为功率开关，支持高效的电能转换。
2. 电机驱动: 可用于小功率电机的驱动控制，提供必要的控制电流和电压。
3. 信号开关: 适合用于低功耗的信号开关和开关电路，可以在较低的栅电压下正常工作。
4. 负载开关: 可以作为负载开关，具有较低的导通损耗，有利于节能和系统的可靠运行。

四、优点和特性

ZVN4525GTA 的设计和制造确保了其在高温、高压环境下的稳定性和可靠性：

1. 高耐压性能: 250V 的漏源电压使其能够应对严苛的工作条件，非常适合需要高电压切换的应用。
2. 低导通电阻: 在高电流下仍能保持较低的导通电阻（Rds On）意味着在运行过程中的功耗低，热量生成少，能够提高设备整体的效率和稳定性。
3. 宽工作温度范围: -55°C 至 150°C 的工作温度范围使其适合在各种环境条件下使用，特别是极端环境中的工业和汽车应用。
4. 小巧的封装: SOT-223 封装使其在占用空间小的情况下，仍然可以处理较高的功率，适合空间受限的设计需求。

五、结论

综上所述，ZVN4525GTA 是一款高质量的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性和坚固的封装设计，具备了在复杂电路中稳定、可靠运行的能力。无论是在电源管理、信号处理，还是在驱动电路中，ZVN4525GTA 都能够为工程师提供出色的解决方案。其完美平衡了性能与成本，成为广泛电子应用中的理想选择。