型号:

NRVBA1H100NT3G

品牌:ON(安森美)
封装:SMA (DO-214AC)
批次:24+
包装:编带
重量:-
其他:
NRVBA1H100NT3G 产品实物图片
NRVBA1H100NT3G 一小时发货
描述:DIODE SCHOTTKY 1A 100V 1201 SMA2
库存数量
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最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.8054
5000+
0.75
产品参数
属性参数值
二极管配置独立式
正向压降(Vf)840mV@2A
直流反向耐压(Vr)100V
整流电流1A
反向电流(Ir)40uA@100V
工作结温范围-65℃~+175℃
非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)50A

NRVBA1H100NT3G 产品概述

一、产品简介

NRVBA1H100NT3G 是安森美(ON Semiconductor)系列的独立式肖特基整流二极管,额定直流整流电流为 1A,直流反向耐压 100V。采用 SMA(DO-214AC)表面贴装封装,设计用于需要低正向压降、快速恢复和耐瞬态冲击的电源与整流场合。

二、主要电气参数

  • 直流整流电流:1A(连续)
  • 直流反向耐压(Vr):100V
  • 正向压降(Vf):840mV @ 2A(用于估算浪涌时的压降)
  • 非重复峰值浪涌电流(Ifsm):50A(单次浪涌能力,典型八字波或脉冲条件下)
  • 反向电流(Ir):40µA @ 100V
  • 工作结温范围:-65℃ ~ +175℃

三、封装与热特性

器件采用 SMA(DO-214AC)封装,适合高速贴片装配。SMA 封装体积小、热阻相对较高,建议在 PCB 布局时采取较大铜箔散热区并通过热过孔连接多层地/电源平面,以保证长期工作时结温控制在安全范围内。工作结温允许范围宽(-65℃ 至 +175℃),适应恶劣环境下的温度循环与应力。

四、关键特性与优势

  • 肖特基势垒结构,反向恢复时间极短,适合高频开关环境,能降低开关损耗与 EMI。
  • 低正向压降有利于降低导通功耗,尤其在低压、大电流整流时能提升效率(给定 Vf 测试点为 2A,可用于浪涌估算)。
  • 高浪涌承受能力(Ifsm 50A)提高了抗突发过流与浪涌事件的鲁棒性。
  • 宽温工作范围和较低反向泄漏(40µA @100V)适用于汽车、工业等对温度与漏电控制有要求的场合。

五、典型应用

  • 开关电源整流与辅助电源。
  • 反向保护与电源OR-ing电路。
  • 逆变器及功率模块的自由轮回二极管(在电流与频率匹配的前提下)。
  • 汽车电子、工业控制、白色家电等需要抗浪涌和宽温工作的系统。

六、使用建议与注意事项

  • 器件连续额定电流为 1A,若工作电流或功耗较高,应评估结温并通过 PCB 散热、散热器或并联器件进行热管理。
  • Vf 数据以 2A 测试给出,用于评估浪涌或短时高流情况下的压降和发热;在常态 1A 工作时实际 Vf 通常更低,但仍需以热设计为准。
  • 反向漏电在高温或高压下会增加,设计时应预留安全裕度,特别是在高压反向偏置条件下。
  • 焊接与回流温度应遵循器件制造商推荐的工艺规范,避免超温导致机械和电气性能退化。
  • 对于关键或极端工况,建议结合实际测量(热成像、结温测定)进行可靠性验证。

七、结论

NRVBA1H100NT3G 在小型化 SMA 封装下结合了肖特基二极管的低正向压降、快速响应与较强的浪涌承受能力,适合多种电源整流与保护应用。合理的 PCB 散热设计与电流、温度的工程余量是确保器件长期稳定运行的关键。若需更详细的电气特性曲线或封装尺寸图,请参考安森美官方数据手册。