型号:

BSS138

品牌:CJ(江苏长电/长晶)
封装:SOT-23(SOT-23-3)
批次:2年内
包装:编带
重量:-
其他:
BSS138 产品实物图片
BSS138 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 360mW 50V 220mA 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
2815
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.339
200+
0.113
1500+
0.0705
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)220mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6Ω@4.5V,0.22A
功率(Pd)350mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)800mV@1mA
输入电容(Ciss@Vds)27pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)6pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:BSS138 N沟道MOSFET

一、引言

BSS138是一款广泛应用于低功耗开关和信号增益场合的N沟道MOSFET,由CJ(江苏长电/长晶)等多家知名厂商生产。由于其出色的性能和灵活的应用,BSS138在消费电子、工业控制、汽车电子等领域得到了广泛的采用。本文将从产品特点、规格参数、应用场景以及设计注意事项等方面对BSS138 MOSFET进行详细探讨。

二、产品特点

  1. 低导通电阻:BSS138具有较低的RDS(on)值,通常在0.3Ω范围内,这使得该器件在驱动负载时能有效降低功耗和发热,提高能效。
  2. 高电压和电流承载能力:BSS138具有最高的漏极电压(VDS)为50V,漏极电流(ID)可达到220mA,非常适合中小功率的应用需求。
  3. 小型化封装:该MOSFET采用SOT-23封装,尺寸小巧,适合于空间受限的应用,能够有效节省PCB面积,简化电路布局。
  4. 快速开关特性:BSS138具有优异的开关速度,能够满足高频应用的需求,使其在信号传输及开关电源应用中表现出色。
  5. 高可靠性和稳定性:该器件具有良好的热稳定性和耐压能力,适合在各种环境条件下运行。

三、规格参数

以下是BSS138的主要规格参数:

  • 器件类型:N沟道MOSFET
  • 封装:SOT-23 (SOT-23-3)
  • 漏源电压(VDS):50V
  • 漏极电流(ID):220mA
  • 导通电阻(RDS(on)):最大约0.3Ω
  • 封装尺寸:2.9mm x 1.3mm x 1mm
  • 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  • 最大功耗:360mW

四、应用场景

BSS138广泛用于以下几种场合:

  1. 开关电源:在开关电源中作为开关元件,提高能量转换效率。
  2. 信号开关:用于在信号路径中进行开关控制,如在音视频设备中的信号切换。
  3. 负载驱动:在各种小功率负载驱动应用中,如LED驱动、电机控制等。
  4. 电路保护:作为电路的过流和过压保护元件,提高系统的可靠性。
  5. 线性调节器:在一些线性稳压电路中作为控制元件。

五、设计注意事项

在设计电路时,使用BSS138 MOSFET需要注意以下几点:

  1. 散热设计:由于功率损耗的存在,尽管BSS138的功耗较低,还是要考虑散热设计,避免因过热导致器件失效。
  2. 驱动电压:确保MOSFET的栅极驱动电压能够及时满足开关需求,以实现快速开关。
  3. 负载特性:在选择BSS138作为负载驱动时,需评估负载的特性,避免在超过额定值的条件下运行,以保证器件的安全和稳定。
  4. PCB布局:在PCB布局时,需尽量将MOSFET放置于靠近负载的位置,以减少导线电感和电阻,提高开关性能。

六、总结

BSS138 N沟道MOSFET凭借其低功耗、高效能、小型封装等优点,已成为电子设计师的热门选择。其广泛的应用场景和良好的性能特性使得BSS138在各类电子产品中扮演着重要角色。通过合理设计和应用,BSS138能够显著提升电路的整体性能和效率,推动电子技术的不断进步。