SUM85N15-19-E3

产品概述：SUM85N15-19-E3 MOSFET

1. 引言

SUM85N15-19-E3是一款由VISHAY（威世）公司生产的高性能N通道MOSFET，设计用于满足各种高电压和高电流应用的需求。这款MOSFET以其出色的电气性能、优异的散热能力和广泛的工作温度范围而著称，适合于电源转换、电机驱动和自动化设备等领域。

2. 主要特性

• FET 类型：N 通道，能够提供更低的导通电阻和更高的电流承载能力，适用于高效的开关应用。
• 技术：采用现代化的MOSFET技术（金属氧化物半导体场效应晶体管），使得其性能更为卓越，尤其在高频率开关应用中表现良好。
• 漏源电压（Vdss）：可承受高达150V的漏源电压，确保其在高压环境下的可靠性和稳定性。
• 连续漏极电流 (Id)：该器件可以在25°C的环境温度下连续承载高达85A的电流，为高功率设备提供必要的电源。
• 驱动电压：最小Rds On所需的驱动电压为10V，具有良好的导电性能。
• 导通电阻：在10V驱动下，30A的电流时最大导通电阻为19毫欧，显示出非常低的电阻特性，有助于降低功耗和散热。
• Vgs(th)：栅极阈值电压最大为4V（@ 250µA），提供了相对较低的开启所需电压。
• 栅极电荷 (Qg)：最大栅极电荷为110nC（@ 10V），保证了快速的开关响应，有助于提高整体电路的效率。
• Vgs（最大值）：该MOSFET的栅源电压最大值为±20V，可以承受一定程度的电压波动。
• 输入电容 (Ciss)：在25V下输入电容最大为4750pF，具有良好的输入特性。
• 功率耗散：该器件在环境温度下的最大功率耗散为3.75W，而在结温下则可达到375W，确保在高负载条件下的运行安全。
• 工作温度范围：-55°C至175°C的广泛工作温度范围，使其适用于严格的工业环境和高温应用场合。
• 封装类型：该器件采用TO-263（D2Pak）封装，适用于表面贴装，便于自动化生产与安装。

3. 应用场景

SUM85N15-19-E3以其高电流和低导通电阻特点，广泛应用于各种领域：

• 电源管理：适合用于DC-DC转换器、开关电源等高效电源管理解决方案。
• 电机驱动：在电机控制和驱动应用中，能有效提高效率，降低发热，延长设备寿命。
• 逆变器：可用于太阳能逆变器、电池管理系统等，以优化能量转换效率。
• 电动汽车：在电动车的功率模块中，作为开关元件，用于电池和驱动电机的控制。

4. 结语

SUM85N15-19-E3 MOSFET凭借其优异的电气特性和广泛的应用领域，是设计工程师在高电流和高电压应用中不可或缺的重要元器件。VISHAY作为知名电子元器件制造商，提供的这一高性能MOSFET极大地推动了电力电子技术的发展，帮助用户实现更智能、更高效的系统设计。无论是工业应用还是消费电子，SUM85N15-19-E3都能为您提供可靠的性能保障。