FQD7N10LTM

产品概述：FQD7N10LTM N通道MOSFET

概述

FQD7N10LTM是一款高性能的N通道MOSFET，采用金属氧化物技术，广泛应用于各种电子电路中，为用户提供高效的电流控制能力。该产品设计用于满足高电压和高电流的需求，在最大漏源电压（Vdss）为100V、连续漏极电流（Id）为5.8A的条件下，展现出卓越的导通特性和热性能，尤其适合电源管理、开关电源、LED驱动，以及其他高密度电子设备中。

主要参数

• FET类型：N通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物场效应管）
• 最大漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时的连续漏极电流（Id）：5.8A（在晶体管结温Tc条件下）
• 驱动电压：
  • 最大Rds(on)：5V
  • 最小Rds(on)：10V
• 导通电阻：
  • 最大值：350毫欧（@2.9A，10V下测量）
• 栅源电压开启阈值（Vgs(th)）：最大2V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）：最大6nC @ 5V
• 最大栅源电压（Vgs）：±20V
• 输入电容（Ciss）：最大290pF @ 25V
• 功率耗散：
  • 最大2.5W（环境温度Ta）
  • 最大25W（结温Tc）
• 工作温度范围：-55°C到150°C（TJ）
• 封装类型：D-Pak（TO-252-3，DPak，含2引脚及接片，符合SC-63标准）

性能分析

FQD7N10LTM以其优良的热性能和电流处理能力使其在众多应用场合中具有显著的优势。驱动电压较低（5V），使其在电源管理及低电压应用中表现出色。此外，优秀的导通电阻（Rds(on)）使得该组件在工作时能够有效减少功率损耗，从而提高整体电路的效率。

该产品的工作温度范围从-55°C至150°C，充分满足苛刻环境下工作的需要，确保设备的稳定性和可靠性。此外，FQD7N10LTM的输入电容（Ciss）值相对较小，使得在快速切换时的驱动要求较低，有助于减少开启延迟，适合高频率开关模式。

应用领域

FQD7N10LTM广泛应用于以下几种电子设备和系统中：

1. 开关电源：因其高效率和良好的导通特性，被广泛应用于AC-DC转换器和开关电源中。
2. LED驱动：在LED照明和显示设备中，能够有效控制电流，提供稳定的光输出。
3. 电机驱动：该MOSFET也适用于小型电机驱动和控制系统中，以实现高效的电流转换和开关控制。
4. 电能管理：在电池管理系统（BMS）中，用于调节和控制电池的充放电过程，提高电能的利用率。

结论

FQD7N10LTM N通道MOSFET凭借其卓越的电气性能和广泛的应用范围，是现代电子设计中一款不可或缺的器件。凭借其高电压承受能力、低导通电阻和良好的散热特性，使其非常适合用于高效能电子电路的设计与开发。选择FQD7N10LTM，将为您的项目提供可靠的性能和优越的效率。