型号:

BUK7K45-100EX

品牌:Nexperia(安世)
封装:LFPAK56D
批次:-
包装:编带
重量:0.12g
其他:
BUK7K45-100EX 产品实物图片
BUK7K45-100EX 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 53W 100V 21.4A 2个N沟道 LFPAK-56D-8
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
5.9
100+
4.92
750+
4.47
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)21.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)30mΩ@10V,5A
功率(Pd)53W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)25.9nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.15nF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)84pF@25V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

BUK7K45-100EX 产品概述

BUK7K45-100EX 是一种高性能的 N-沟道 MOSFET,专为要求严格的电源管理和开关应用而设计。该器件由 Nexperia(安世半导体)制造,具备一系列卓越的电气特性,适合于各种工业和消费电子产品的使用。

主要特征

  1. 高漏源电压:BUK7K45-100EX 的漏源电压(Vdss)达到了 100V,使其能够在高电压应用中运行良好,适用于电源转换器和电机驱动器等高电压场合。

  2. 强大的电流承载能力:该器件在 25°C 环境温度下的连续漏极电流(Id)最大可达 21.4A,适合高电流应用,如直流电机控制和电池管理系统。

  3. 低导通电阻:在 10V 的栅极电压下,当漏极电流为 5A 时,其导通电阻(R_ds(on))仅为 37.6mΩ。这一特性使得器件在工作过程中的能量损耗极低,从而提高了系统的效率。

  4. 适应广泛的工作温度范围:BUK7K45-100EX 可在 -55°C 至 175°C 的宽广温度范围内正常工作。这使其成为高温环境下应用的理想选择,例如在汽车电子、航空航天和工业设备中。

  5. 小型封装设计:该 MOSFET 采用 SOT-1205 封装(LFPAK56D),具有紧凑的外形,适合表面贴装应用,便于在现代小型化设备中使用。此外,LFPAK56D 封装设计改善了散热性能,使其在高负载条件下也能稳定运行。

  6. 优异的电气特性:在 10V 的栅极电压下,BUK7K45-100EX 的栅极电荷(Qg)最大为 25.9nC,这一特性使得驱动器的设计更加灵活,高速开关转换时可减少重载引起的电能损耗。此外,在 25V 驱动下,其输入电容(Ciss)最大为 1533pF,有助于提高开关速度和系统性能。

应用场景

由于其高电压、高电流承载能力和低导通电阻,BUK7K45-100EX 可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 电源管理:可用于开关电源、直流-直流转换器、交流-直流转换器等,帮助实现高效电力传输。

  2. 电机控制:在电动车、工业电机驱动及智能家居设备中,BUK7K45-100EX 可用于高效控制直流电机和步进电机。

  3. 汽车电子:适用于汽车电源管理、电池管理系统及高压应用,可确保长时间可靠运行,满足汽车行业的高标准需求。

  4. 工业设备:在工业自动化系统中,BUK7K45-100EX 能够有效驱动负载,保障设备的稳定性和可靠性。

总结

BUK7K45-100EX 是一款集高效能和可靠性于一身的 N-沟道 MOSFET,适用于高电压和高电流应用。其低导通电阻、宽工作温度范围和小型封装设计,使其能够满足现代电子设备对于高效能和紧凑设计的双重需求。在全球范围内,各类应用场景都能找到其身影,充分展现了这一器件在电子行业中的重要地位。无论是在工业、消费电子,还是汽车领域,BUK7K45-100EX 的表现都超出预期,成为工程师和设计师信赖的选择。