BSG0811NDATMA1 产品概述

一、概述

BSG0811NDATMA1 为 Infineon（英飞凌）推出的双通道 N 沟道功率 MOSFET，面向车载及工业级降压、同步整流和功率管理应用。器件支持工作温度范围宽广（-55℃ 至 +150℃），在低电压（25V）系统中提供低导通电阻与较高开关性能，适合需要高效率与紧凑布局的应用场景。

二、主要特性

• 双 N 沟道器件，便于并用或半桥设计；数量：2 个 N 沟道。
• 典型导通电阻 RDS(on)：3.2 mΩ（VGS=4.5V，ID=20A），适合高电流低损耗场景。
• 漏源耐压 VDSS：25V，适用于 12V、24V 较低电压电子系统。
• 栅极电荷 Qg：8.4 nC（VGS=10V），栅驱动能耗适中，利于快速开关。
• 输入/输出/反向传输电容：Ciss=3.7 nF，Coss=1.9 nF，Crss=130 pF，有助于评估开关损耗与电磁兼容设计。
• 阈值电压 VGS(th)：约 2V（ID=250µA），便于逻辑电平门驱动工作。
• 工作环境温度：-55℃ ~ +150℃。

三、关键电气参数（汇总）

• 连续漏极电流 Id：50A（典型/额定条件请参见官方数据手册）。
• 导通电阻 RDS(on)：3.2 mΩ @ VGS=4.5V、ID=20A。
• 漏源电压 VDSS：25V。
• 耗散功率 Pd：6.25W（注意：文档部分处有 2.5W 标注，实际应以厂家数据手册为准）。

四、封装与热特性

• 封装：TISON-8，适合表面贴装并实现较好的热性能与并列布局。
• 封装有利于散热，但在高电流应用中建议配合 PCB 大面积铜铺与热过孔以降低结到环境热阻。

五、典型应用

• 同步降压转换器（同步整流器）。
• 车载电源管理（12V/24V 系统）。
• 电机驱动、功率开关与低压高效率电源模块。
• 热敏感度高且空间受限的高密度功率应用。

六、设计与布局建议

• 栅极驱动：考虑 Qg=8.4nC，选用能提供足够栅电流的驱动器以保证所需的开关速度并控制开关损耗。
• PCB 布局：大电流回路使用短而宽的走线，增加散热铜箔并考虑过孔散热。
• 并联使用时匹配 RDS(on) 与散热，避免局部发热导致应力。
• 关注 Coss/Crss 对开关损耗与电磁干扰的影响，必要时使用缓冲或栅极电阻优化。

七、采购与注意事项

• 品牌：Infineon（英飞凌）。
• 在最终设计与量产前，请务必参照英飞凌官方数据手册获取完整绝对最大额定值、典型曲线及封装细节，确认 Pd、Id 等规格的测试条件与热限制，以保证可靠性。