型号:

BSC150N03LDGATMA1

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TDSON-8
批次:25+
包装:编带
重量:-
其他:
-
BSC150N03LDGATMA1 产品实物图片
BSC150N03LDGATMA1 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 26W 30V 8A 2个N沟道
库存数量
库存:
3942
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.37
5000+
1.3
产品参数
属性参数值
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
耗散功率(Pd)26W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
栅极电荷量(Qg)13.2nC@10V
输入电容(Ciss)1.1nF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)470pF

BSC150N03LDGATMA1 产品概述

一、概述

BSC150N03LDGATMA1 是英飞凌(Infineon)推出的一款双通道 N 沟道功率 MOSFET,采用 TDSON-8 封装。器件面向中低压、高效率开关应用,提供低导通电阻与较低的寄生电容,适合开关转换、同步整流和功率管理等场合。器件工作温度范围宽(-55℃ ~ +150℃),适用于严苛环境与工业级产品设计。

二、主要参数

  • 漏源峰值电压(Vdss):30 V
  • 通道数量:2 个 N 沟道
  • 导通电阻(RDS(on)):15 mΩ @ VGS = 10 V
  • 连续漏极电流(Id):20 A(额定条件)
  • 耗散功率(Pd):26 W
  • 栅极阈值电压(VGS(th)):2.2 V @ 250 µA
  • 总栅极电荷(Qg):13.2 nC @ 10 V
  • 输入电容(Ciss):1.1 nF
  • 输出电容(Coss):470 pF
  • 反向传输电容(Crss / Crss):16 pF
  • 工作温度:-55℃ ~ +150℃
  • 封装:TDSON-8

三、电气与开关特性说明

器件在 VGS = 10 V 时可达到 15 mΩ 的低 RDS(on),适合在有充分栅极驱动的系统中作为低损耗开关使用。Qg 为 13.2 nC,提示在高频开关应用中栅极驱动能量与开关损耗需被考虑;Ciss(1.1 nF)与 Coss(470 pF)反映开关时的电荷分布与回灌行为,Crss(16 pF)决定米勒效应对开关过渡的影响。

四、热性能与封装优势

TDSON-8 封装提供较小的封装尺寸与良好的导热路径,适合对 PCB 散热设计有要求的应用。额定功耗 26 W 在良好散热条件(焊盘/散热通孔或散热片)下可发挥最大性能。设计时应确保底部散热焊盘足够,最小化 PCB 温升以保持器件可靠性。

五、典型应用场景

  • 同步整流与降压 DC-DC 转换器
  • 电源管理与负载开关
  • 电机驱动与桥式拓扑(双通道便于半桥设计)
  • 汽车与工业电源模块(考虑宽温度与高可靠性)

六、设计与布局建议

  • 栅极驱动:为获得最低 RDS(on),建议提供 VGS = 10 V 的驱动电压,必要时在栅极串联小电阻以抑制振铃。
  • 开关损耗:考虑 Qg 与 Coss,计算驱动能量与开关损耗,必要时采用缓冲/死区时间优化。
  • PCB 布局:保证大面积散热焊盘、缩短电流回路、在开关节点处使用适当的旁路电容,减小寄生电感。
  • 热保护:在高功率工作点建议布局热测点或温度保护策略,确保长期可靠性。

七、总结

BSC150N03LDGATMA1 以其 30 V 额定电压、低 RDS(on) 与双通道 TDSON-8 封装,适合要求体积小、效率高且需双通道配合的电源与驱动应用。设计时需权衡栅极驱动能力、开关频率与 PCB 散热,以发挥器件最佳性能。