
BSC150N03LDGATMA1 是英飞凌(Infineon)推出的一款双通道 N 沟道功率 MOSFET,采用 TDSON-8 封装。器件面向中低压、高效率开关应用,提供低导通电阻与较低的寄生电容,适合开关转换、同步整流和功率管理等场合。器件工作温度范围宽(-55℃ ~ +150℃),适用于严苛环境与工业级产品设计。
器件在 VGS = 10 V 时可达到 15 mΩ 的低 RDS(on),适合在有充分栅极驱动的系统中作为低损耗开关使用。Qg 为 13.2 nC,提示在高频开关应用中栅极驱动能量与开关损耗需被考虑;Ciss(1.1 nF)与 Coss(470 pF)反映开关时的电荷分布与回灌行为,Crss(16 pF)决定米勒效应对开关过渡的影响。
TDSON-8 封装提供较小的封装尺寸与良好的导热路径,适合对 PCB 散热设计有要求的应用。额定功耗 26 W 在良好散热条件(焊盘/散热通孔或散热片)下可发挥最大性能。设计时应确保底部散热焊盘足够,最小化 PCB 温升以保持器件可靠性。
BSC150N03LDGATMA1 以其 30 V 额定电压、低 RDS(on) 与双通道 TDSON-8 封装,适合要求体积小、效率高且需双通道配合的电源与驱动应用。设计时需权衡栅极驱动能力、开关频率与 PCB 散热,以发挥器件最佳性能。