FDS4935BZ

产品概述：FDS4935BZ

FDS4935BZ是一款由安森美（ON Semiconductor）制造的高性能双P沟道场效应管（MOSFET），专为各种低功耗和高效能应用设计。该MOSFET采用了表面贴装型（SMD）封装，封装类型为8-SOIC（小外形集成电路），尺寸为0.154英寸（3.90mm宽），适合在紧凑的电路中使用。

关键参数

• 漏源电压（Vdss）: FDS4935BZ的最大漏源电压为30V，适用于多种中低压电源管理和开关应用。
• 连续漏极电流（Id）: 该产品在25°C环境下，能够承载的最大连续漏极电流为6.9A，适合用于需要较高电流和稳定性能的电路中。
• 导通电阻（Rds(on)）: 在不同的漏极电流和栅极电压下，该MOSFET的最大导通电阻为22毫欧，当Id为6.9A，Vgs为10V时测得，显示出优良的导电性能，能够有效减少功耗和热损耗。
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: FDS4935BZ在250微安（µA）的条件下，最大栅极阈值电压为3V，这使得它适用于逻辑电平驱动的应用，进一步简化了控制电路的设计。
• 栅极电荷（Qg）: 在Vgs为10V时，栅极电荷的最大值为40nC，这一指标对于高频功率转换应用极为重要，优越的Qg值有助于提高开关速度和效率。
• 输入电容（Ciss）: FDS4935BZ的输入电容在15V时最大为1360pF，较低的输入电容有助于降低驱动器的功率消耗，提高开关速度和效率。

工作温度和功率

FDS4935BZ在极宽的工作温度范围内能够稳定工作，工作温度从-55°C到150°C，这一特性使其适合在各种恶劣环境条件下操作。此外，该产品的最大功率为900mW，确保其可以在高负荷工作条件下保持高效和稳定。

应用领域

FDS4935BZ广泛应用于以下几个领域：

1. 电源管理: 在各类电源管理电路中，FDS4935BZ能够有效控制电流流动，以实现高效的能量转换与调节。
2. 开关电源: 由于其低导通电阻与较高的电流承载能力，此MOSFET非常适合用于开关电源设计，表现优越的开关能力已得到工程师广泛认可。
3. 马达驱动: 针对小型直流电机和步进电机的驱动，FDS4935BZ能够提供灵活和高效的控制方案。
4. LED驱动: 在LED照明设备中，FDS4935BZ的低导通电阻和高耐压能力，确保了LED在较大电流下的稳定发光。

总结

FDS4935BZ是安森美推出的一款高性能的双P沟道MOSFET，具备了出色的电气特性和宽广的操作温度范围，适合应用于现代电子设备的多个领域。其低导通电阻和逻辑电平驱动功能使其在电源管理、开关电源、马达驱动和LED驱动等应用中表现优越，助力提升整体系统的能效和性能。对于设计工程师而言，FDS4935BZ不仅提供了灵活的电路设计选项，更是保证项目可靠性的优质选择。