FDS2572 产品概述

一、简介

FDS2572 为 ON (安森美) 系列单片 N 沟道功率 MOSFET，面向中等电压、中等电流开关场合。器件额定漏源电压为 150V，连续漏极电流 4.9A，导通电阻 RDS(on) 为 40mΩ（VGS=10V），耗散功率 Pd 为 2.5W，工作温度范围宽 (-55℃ ~ +150℃)。封装为 SO-8，便于表面贴装和 PCB 布局。该器件适合需在高压侧实现开关控制且对导通损耗有一定要求的电源与功率管理应用。

二、主要电气参数（关键值）

• 漏源电压 VDSS：150 V
• 连续漏极电流 ID：4.9 A
• 导通电阻 RDS(on)：40 mΩ @ VGS = 10 V, ID=4.9A
• 阈值电压 VGS(th)：2 V（典型或门限参考）
• 总栅电荷 Qg：29 nC @ VGS = 10 V
• 输入电容 Ciss：2.87 nF @ 25 V
• 反向传输电容 Crss：80 pF @ 25 V
• 耗散功率 Pd：2.5 W
• 工作温度：-55℃ ~ +150℃

三、封装与热性能

FDS2572 采用 SO-8 封装，便于自动化贴装与小尺寸系统集成。SO-8 的热阻较塑封更高（相对于大散热片封装），器件的 Pd=2.5W 是在规定的环境条件下测得的额定值；在实际应用中需考虑 PCB 热泄放 —— 通过加宽铜箔、增加散热区域、使用热沉或多孔过孔（thermal vias）来降低结温上升并按温度系数对功率作降额处理。高温环境或持续高载流工况应参考结温限制并做热仿真或测量验证。

四、典型应用场景

• 高压降压/升压开关电源的开关管或同步整流（中小功率）
• 工业控制与电池管理系统中的高侧/低侧开关
• 电机驱动中的辅助电路、驱动器保护开关
• 电源保护、电源开/关控制与功率路径管理
  器件在 150V 额定下适合汽车、工业及消费类需要较高耐压但电流不超大的场景。

五、设计与使用建议

• 栅极驱动：Qg=29nC 表明开关时需要一定电流驱动，建议按开关频率与允许开关损耗计算驱动电流；实用做法是配置 10–100Ω 的门极电阻以平衡开关速度与 EMI/振铃。
• 过压与钳位：150V 漏极耐压较高，但在感性负载或开关转换过程中仍需外加 TVS 或 RCD 吸收网络以抑制瞬态。
• 布局：缩短源、漏回路的回流路径，增大铜箔面积以降低导通损耗与热阻；栅极走线保持短且加阻尼，栅极与源之间保留固有旁路电容。
• 热管理：在高占空或连续导通条件下按结温降额，采用散热铜箔、通孔铺热、必要时使用外部散热器。
• 测试与可靠性：在目标工作温度与最大电流条件下进行长时间老化或热循环测试，验证漏电流、RDS(on) 随温升变化及封装完整性。

六、总结

FDS2572 是一款面向中等电压（150V）与中等电流（约 5A）应用的 N 沟道 MOSFET，具备较低的导通阻抗和适中的栅电荷，适用于多种电源与开关场合。合理的栅极驱动、良好的 PCB 散热设计及必要的瞬态保护是发挥其性能并保证长期可靠性的关键。若需更详细的电参数曲线、最大额定或典型应用电路，建议参考 ON 官方数据手册或联系供应商获取完整资料。