FDN304P

FDN304P 产品概述

概述

FDN304P 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为低电压和中等电流的应用设计，具有优异的开关特性和高效能。该器件广泛应用于负载开关、信号放大、功率管理和电源转换等领域的电路设计。由于其超低导通电阻和低栅极电荷特性，FDN304P 能够有效降低能量损耗，提高电路效率，进而满足现代电子产品对性能和能耗的严格要求。

主要参数

• FET 类型: P 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
• 漏源电压 (Vdss): 20V
• 连续漏极电流 (Id): 2.4A (25°C 时)
• 驱动电压: 1.8V（最大 Rds On），4.5V（最小 Rds On）
• 导通电阻 (Rds(on)): 最大 52 毫欧 @ 2.4A，4.5V
• 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 1.5V @ 250µA
• 栅极电荷 (Qg): 最大 20nC @ 4.5V
• 栅源电压 (Vgs): 最大 ±8V
• 输入电容 (Ciss): 最大 1312pF @ 10V
• 功率耗散: 最大 500mW (Ta)
• 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 封装类型: SuperSOT-3 (TO-236-3, SC-59, SOT-23-3)

产品特性

FDN304P 的设计体现了高效能与紧凑型封装的完美结合，适合有限空间或要求高密度的电路板。使用 SuperSOT-3 封装，FDN304P 具备优良的热性能和电气特性，便于在多样化的电子产品中实现有效的散热管理。此外，该器件工作温度范围宽广（-55°C 到 150°C），使得它可在各种极端环境条件下稳定运行。

在电气特性方面，FDN304P 的最低导通电阻为 52 毫欧，能够在最大 2.4A 的电流下实现低功耗。这对于许多电源管理和开关电路应用至关重要，能显著降低热量生成，提升系统总体效率。此外，栅极电荷的低值（20nC）使得此器件在高速开关应用中表现出色，减少了开关过程中的能量损耗。

应用领域

FDN304P 可广泛应用于以下领域：

1. 电机驱动：在小型电机控制电路中，可以用作负载开关，确保电机在运行时获取稳定的电源。
2. 电源管理：适用于便携式设备中的电源开关和能量管理，能够有效调节电源状态。
3. 信号开关：在信号开关和控制应用中，FDN304P 可用于处理多个信号路由，以提高整体系统的灵活性。
4. LED 驱动：适合 LED 照明和其他高功率应用中的开关控制，有效管理电流。

结论

FDN304P 是一款优异的 P 通道 MOSFET，其结合了低导通电阻、高可靠性及宽广的工作温度范围，为设计人员提供了出色的设计灵活性。无论是在电机驱动、电源管理还是信号控制等领域，FDN304P 都能满足现代电子设备对效率、尺寸和性能的严格要求，是一种理想的选择。借助安森美强大的供应链支持和技术背景，FDN304P 无疑将成为您下一个电子项目中的关键组成部分。